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引言
9 b/ z$ n) }& n, |可編程光電子集成線路(PPICs)正在成為一項(xiàng)具有巨大創(chuàng)新潛力的新興技術(shù),在量子光學(xué)、通信和機(jī)器學(xué)習(xí)等多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這些線路可以被編程執(zhí)行各種功能,無(wú)需定制設(shè)計(jì),有望徹底改變我們?cè)谛酒喜倏v光的方式。本文將探討PPICs的不同架構(gòu),重點(diǎn)關(guān)注其路由能力以及各種因素對(duì)性能的影響。& y/ I7 n8 o# j& z7 E
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Mesh架構(gòu), H' v7 {! |/ i3 B# _6 F9 T
PPIC的核心是由波導(dǎo)和可調(diào)諧耦合器組成的mesh結(jié)構(gòu)。這些耦合器可以被編程為不同的狀態(tài)(直通、交叉或耦合),從而靈活控制線路中的光流。這些組件的排列形成了mesh架構(gòu),對(duì)線路的路由能力有顯著影響。
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讓我們來(lái)檢視四種主要的mesh架構(gòu):三角形tile方形tile六邊形tile環(huán)連接直線(RCSL)& H+ W0 ?$ n; k- I- r
[/ol]" v8 j' D: g) h' @& ]
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( x2 {0 p/ V! t6 b6 S; H4 b) o
圖1展示了這四種架構(gòu)。# m4 R8 A* {2 s. s
每種架構(gòu)都有其獨(dú)特的特征,影響路由性能:6 r8 U/ Y4 T% m& u* [# G
) h; d$ f! @/ K2 d1. 三角形tile(圖1a):這種架構(gòu)使用最小的規(guī)則形狀進(jìn)行鋪設(shè)。然而,它傾向于為光信號(hào)創(chuàng)建低效的之字形路徑。
8 [$ ?( I8 _4 x+ M
/ u! T$ H2 N5 Y; J8 L1 `# e2. 方形tile(圖1b):一種常見(jiàn)且簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),但在某些路由情況下可能導(dǎo)致不必要的長(zhǎng)路徑。
" j% m( E3 R: A) {" I2 \+ w" H4 B: g# F( i
3. 六邊形tile(圖1c):這種架構(gòu)在路由方面提供了更多的靈活性,通常被認(rèn)為是最有潛力的設(shè)計(jì)。) W- g4 a1 X0 t6 c# a6 ~1 H
, ?- E3 {8 |; T3 f4 ^! N! ?" w4. 環(huán)連接直線(圖1d):這項(xiàng)研究中引入的一種新型設(shè)計(jì),旨在提供高效的直線路由選項(xiàng)。
. \" M' ~% k' v0 m& a, Y, A
# N4 x; V G k& C9 G
/ |2 R6 R) C8 z6 z+ n0 ?3 W C光電子Mesh中的路由2 x5 b# X( I! }# k5 ?
PPICs中的路由涉及通過(guò)mesh將光從源端口引導(dǎo)到目標(biāo)端口。每個(gè)可能的連接都可以表示為一個(gè)圖,外部端口作為將光耦合進(jìn)出mesh的接口。. D" m( N4 G# ^( b# l% Q
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圖2顯示了六邊形波導(dǎo)mesh中可能連接的圖形表示。彩色節(jié)點(diǎn)代表外部端口,而內(nèi)部連接說(shuō)明了光在mesh中可能采取的路徑。
) S) l' x/ Z4 {0 E6 I
/ E D; x% h9 @$ m+ x/ u比較Mesh架構(gòu) }9 N, ~( U& ]
為了評(píng)估不同mesh架構(gòu)的性能,我們需要考慮幾個(gè)因素:0 i) Z; ^/ P( M
7 c5 K# e& _! F. y
1. 最大可路由commodities數(shù):這個(gè)指標(biāo)表示mesh可以支持多少個(gè)同時(shí)連接。
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圖3顯示了不同mesh架構(gòu)的平均最大可路由commodities數(shù)。六邊形tile和RCSL設(shè)計(jì)始終優(yōu)于三角形和方形tile。
/ O/ D3 _4 k W$ k* }) |" t
% |0 ?; ^+ k2 h# c2. 平均路徑長(zhǎng)度:這個(gè)指標(biāo)通過(guò)考慮信號(hào)必須通過(guò)的耦合器數(shù)量來(lái)衡量路由效率。: {+ S# L$ V, C0 w7 L6 ~& F( T
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圖4顯示了不同架構(gòu)的平均路徑長(zhǎng)度。RCSL設(shè)計(jì)平均提供更短的路徑,而三角形tile導(dǎo)致顯著更長(zhǎng)的路徑。; o( U5 @4 b, q/ X- e" Q" p( x. G
+ ^* [9 S8 k$ ] w' c/ B9 O/ v3. 路由效率:這可以表示為實(shí)際路徑長(zhǎng)度與端口之間理想直線距離的比率。$ B- {9 b" f6 I
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圖5說(shuō)明了不同架構(gòu)的這種效率比率。較低的值表示更高的路由效率。RCSL和六邊形tile的表現(xiàn)通常優(yōu)于方形或三角形tile。1 v+ v- t' S7 R4 I5 o" N2 V5 ]( o: A% Z
g2 [( o; W1 j s5 R特定路由場(chǎng)景中的性能6 N5 s7 \) f F5 P n; |8 e
雖然隨機(jī)路由模式提供了一般性能概覽,但特定路由場(chǎng)景可以突出不同架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。
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圖6
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圖6顯示了三種預(yù)定義的路由模式:
; ^8 ^/ w! T. @# O% C# ]類型I:平行的南北和東西連接類型II:交叉對(duì)角線連接類型III:只有南北連接
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圖7展示了不同架構(gòu)在這些特定場(chǎng)景中的表現(xiàn)。值得注意的是,RCSL在類型I模式中表現(xiàn)出色,而方形tile在類型III模式中表現(xiàn)出人意料的好。
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損壞對(duì)Mesh性能的影響
/ b; z3 H$ \( c9 k在實(shí)際應(yīng)用中,PPICs可能會(huì)受到制造缺陷或運(yùn)行過(guò)程中的損壞。了解這些問(wèn)題如何影響路由能力對(duì)設(shè)計(jì)穩(wěn)健系統(tǒng)非常重要。; H2 e4 Q! m7 c8 Y/ T5 d; P$ A
" l. i" E) J( D+ B, `考慮了三種主要的耦合器故障類型:完全故障(100%衰減)卡在交叉模式卡在直通模式7 v1 t5 q7 b5 w: B8 B
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. I j$ t% `! f圖8說(shuō)明了這些不同的故障模式與正常功能的耦合器的比較。( L2 |' q7 X$ |; Q) h- m
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這些故障對(duì)路由性能的影響差異很大:
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圖9顯示了不同類型和程度的損壞如何影響路由能力。 @8 N; |1 `1 `
1 y# g4 W- p( r7 B0 J9 \1 @7 D一些關(guān)鍵觀察:
: X5 ] h! e" D# G卡在交叉模式的耦合器(圖14a)在約50%的耦合器受影響之前影響相對(duì)較小。卡在直通模式的耦合器(圖14b)導(dǎo)致性能更快下降。完全耦合器故障(圖14c)影響最嚴(yán)重,僅15%的故障耦合器就導(dǎo)致50%的路由能力損失。
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( n" _ c" F0 G8 v$ ~可靠性設(shè)計(jì)/ K" Y c1 _ e5 a
了解損壞的影響使設(shè)計(jì)者能夠在其PPIC設(shè)計(jì)中加入適當(dāng)?shù)娜哂。例如,如果已知制造過(guò)程的良率為90%(10%的耦合器不完美),其中一半的不完美導(dǎo)致完全故障,另一半卡在交叉模式,則應(yīng)將mesh大小增加約25%以保持所需的性能水平。
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結(jié)論- L! B/ L3 m, X0 C7 v& f" T
本文提供了可編程光電子集成線路中路由的概述,重點(diǎn)關(guān)注mesh架構(gòu)對(duì)性能的影響。主要要點(diǎn)包括:
0 M: W/ w ]. N7 i& X9 s六邊形tile mesh提供了最佳的整體路由能力,尤其是對(duì)于復(fù)雜的路由場(chǎng)景。新型的環(huán)連接直線(RCSL)架構(gòu)在需要較短路徑長(zhǎng)度的場(chǎng)景中顯示出潛力,特別是當(dāng)mesh預(yù)期不會(huì)被密集使用時(shí)。不同類型的耦合器故障對(duì)mesh性能的影響各不相同,完全故障的影響最為嚴(yán)重。設(shè)計(jì)者可以利用這些信息選擇適當(dāng)?shù)募軜?gòu),并根據(jù)預(yù)期的制造良率和故障模式加入必要的冗余。
& o) B8 Y: @4 h0 @: H
$ V- a2 w4 w5 c4 X* m+ {隨著PPICs的不斷發(fā)展,理解路由和mesh設(shè)計(jì)的這些基本方面對(duì)于為廣泛的應(yīng)用開(kāi)發(fā)高效可靠的光電子系統(tǒng)將非常重要。
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! `5 X! f: y. U, B! J參考文獻(xiàn)
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4 I3 H" u5 d3 A, M2 I4 v* Q& e0 E) I7 \1 j6 o7 Z# u
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