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可編程光電子集成線路中的路由的Mesh架構(gòu)及其性能

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發(fā)表于 2024-10-15 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言( T3 p* }- W" {9 t( v
可編程光電子集成線路(PPICs)正在成為一項具有巨大創(chuàng)新潛力的新興技術(shù),在量子光學(xué)、通信和機(jī)器學(xué)習(xí)等多個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。這些線路可以被編程執(zhí)行各種功能,無需定制設(shè)計,有望徹底改變我們在芯片上操縱光的方式。本文將探討PPICs的不同架構(gòu),重點關(guān)注其路由能力以及各種因素對性能的影響。- j: M6 S; I! Z- n6 b- R4 h

3 w9 t( I! A; S8 U& S: d2 e2 E+ k * \8 o# Y  K; H' _# L% \( [& A

+ B7 Y$ G7 f& Q# pMesh架構(gòu)
: _/ l# I$ S, BPPIC的核心是由波導(dǎo)和可調(diào)諧耦合器組成的mesh結(jié)構(gòu)。這些耦合器可以被編程為不同的狀態(tài)(直通、交叉或耦合),從而靈活控制線路中的光流。這些組件的排列形成了mesh架構(gòu),對線路的路由能力有顯著影響。& z" E1 N, c! M% s  x( b9 U
3 u5 M. y& A( X
讓我們來檢視四種主要的mesh架構(gòu):
  • 三角形tile
  • 方形tile
  • 六邊形tile
  • 環(huán)連接直線(RCSL)
    , S* l% v* U4 n5 J4 I( ^7 ~[/ol]
    : w& \- R% g6 W0 ~$ y3 Y
    % g4 B9 V. n( B8 D' Q! g8 o
    / C8 o7 S8 c& G% V& i: w圖1展示了這四種架構(gòu)。
    $ {8 w% F5 i' t/ _每種架構(gòu)都有其獨特的特征,影響路由性能:
    9 c8 y' _3 }3 Q; y) i" ^* f1 `+ u: Q7 }
    1. 三角形tile(圖1a):這種架構(gòu)使用最小的規(guī)則形狀進(jìn)行鋪設(shè)。然而,它傾向于為光信號創(chuàng)建低效的之字形路徑。: d/ v' X4 c+ L9 v$ e# Z% a/ O

    . Q% |$ e; V2 j" @2. 方形tile(圖1b):一種常見且簡單的設(shè)計,但在某些路由情況下可能導(dǎo)致不必要的長路徑。" D9 E' e# \* K% M, _, Z9 x
    1 K' X  d, K9 ^% a; x( L& A
    3. 六邊形tile(圖1c):這種架構(gòu)在路由方面提供了更多的靈活性,通常被認(rèn)為是最有潛力的設(shè)計。
    ( c  d6 b, f  o& ?
    $ c6 ]# \; G, d- f0 q# k% J4. 環(huán)連接直線(圖1d):這項研究中引入的一種新型設(shè)計,旨在提供高效的直線路由選項。
    & J9 H8 G5 c+ G; f4 f( c2 s2 ]+ O. M! s4 r$ c5 p7 U! E
    7 h6 s. N' o# _/ y. `
    光電子Mesh中的路由% Y+ D* T( p2 O
    PPICs中的路由涉及通過mesh將光從源端口引導(dǎo)到目標(biāo)端口。每個可能的連接都可以表示為一個圖,外部端口作為將光耦合進(jìn)出mesh的接口。
    9 L: g4 S. q) u' e- b' Q; j( N
    " z+ A4 l, o  ^: H 6 d3 i0 z2 y7 f) R3 A) K- ~4 G& U, g
    圖2顯示了六邊形波導(dǎo)mesh中可能連接的圖形表示。彩色節(jié)點代表外部端口,而內(nèi)部連接說明了光在mesh中可能采取的路徑。7 \+ R/ O3 o2 Q3 ^

    2 y* Y9 k  s% D2 U/ y2 M) U比較Mesh架構(gòu)* t3 y. O; x4 ]( _) ~, E! p
    為了評估不同mesh架構(gòu)的性能,我們需要考慮幾個因素:/ T/ J. A3 _( ]( P  f

      D7 Z: i, ]1 x" d1. 最大可路由commodities數(shù):這個指標(biāo)表示mesh可以支持多少個同時連接。
    - a: u! ^- k/ g6 x) t
    / k9 L: I* R# [5 s6 b圖3顯示了不同mesh架構(gòu)的平均最大可路由commodities數(shù)。六邊形tile和RCSL設(shè)計始終優(yōu)于三角形和方形tile。
    . s- A, a. |6 U# l+ v0 ^- u0 a3 c0 u
    4 @9 s" g% P3 A" o/ x2. 平均路徑長度:這個指標(biāo)通過考慮信號必須通過的耦合器數(shù)量來衡量路由效率。5 i2 n" T. M) Z/ P2 c

    7 A5 l9 t% R  @圖4顯示了不同架構(gòu)的平均路徑長度。RCSL設(shè)計平均提供更短的路徑,而三角形tile導(dǎo)致顯著更長的路徑。
    - B  M0 j& e+ p4 C' p3 P3 Y% [, I1 z
    3. 路由效率:這可以表示為實際路徑長度與端口之間理想直線距離的比率。
    - x7 M3 G# f* A( a" A6 Q& l9 T ; A+ f; X+ e) S2 C+ a
    圖5說明了不同架構(gòu)的這種效率比率。較低的值表示更高的路由效率。RCSL和六邊形tile的表現(xiàn)通常優(yōu)于方形或三角形tile。4 l; }' m9 }$ Q+ ]0 Y0 h6 U. t

    ' g# {1 ^8 ^! j+ m特定路由場景中的性能/ j  o) c3 ]5 b8 Z
    雖然隨機(jī)路由模式提供了一般性能概覽,但特定路由場景可以突出不同架構(gòu)的優(yōu)缺點。( h+ a4 D" }" H, z7 M$ [

    2 h2 ^( B8 Y- C: W圖6* l1 l5 ]/ s6 Y; u0 ~6 c/ K$ a

    & v# b7 k- S1 S( R! N6 n圖6顯示了三種預(yù)定義的路由模式:
    7 L/ f$ }* h# X5 T% r
  • 類型I:平行的南北和東西連接
  • 類型II:交叉對角線連接
  • 類型III:只有南北連接
    * y, @9 `1 N; A  R* h

    2 y+ E. h4 O9 W) s, z+ u  N, ]; v0 `
    ! h! u9 h( i7 W6 e" h
    圖7展示了不同架構(gòu)在這些特定場景中的表現(xiàn)。值得注意的是,RCSL在類型I模式中表現(xiàn)出色,而方形tile在類型III模式中表現(xiàn)出人意料的好。: p: d# Y4 h% C: A0 P, U

    3 Z9 y6 V) y: }+ q, @損壞對Mesh性能的影響+ }% p4 [4 F; a
    在實際應(yīng)用中,PPICs可能會受到制造缺陷或運(yùn)行過程中的損壞。了解這些問題如何影響路由能力對設(shè)計穩(wěn)健系統(tǒng)非常重要。6 Q- G7 T2 e. i' b

    $ c+ m) |" m8 M* L考慮了三種主要的耦合器故障類型:
  • 完全故障(100%衰減)
  • 卡在交叉模式
  • 卡在直通模式
    ) K: p. V$ A% h( c6 E, |[/ol]
    7 L1 `, D* y2 }. W7 V! K: V% R" w- [# F, [# d7 b7 i4 I9 l7 u

    0 ~2 t: R- m9 v* }2 k/ d% }圖8說明了這些不同的故障模式與正常功能的耦合器的比較。: S5 Y( [) g" \& R1 i* G- j
    . U2 e! _( m# O" _
    這些故障對路由性能的影響差異很大:; b1 \6 ]8 J" a* |; L

    $ E- d+ }2 Z4 B: n! ?$ J, y! X$ \ + _9 J( ?* g' _7 l
    圖9顯示了不同類型和程度的損壞如何影響路由能力。5 }6 Q' B4 Q: s% e
    $ |" r. S" y/ @! \# T
    一些關(guān)鍵觀察:
    " W  h9 m  }( V5 m6 _
  • 卡在交叉模式的耦合器(圖14a)在約50%的耦合器受影響之前影響相對較小。
  • 卡在直通模式的耦合器(圖14b)導(dǎo)致性能更快下降。
  • 完全耦合器故障(圖14c)影響最嚴(yán)重,僅15%的故障耦合器就導(dǎo)致50%的路由能力損失。
    1 K; L; \3 Z. }% ~+ O
    0 A# u4 F( B, `

    3 m. H* r3 b1 n( A. s6 U- c0 J可靠性設(shè)計
    - z- X% P* L4 p0 Q5 p: C4 B了解損壞的影響使設(shè)計者能夠在其PPIC設(shè)計中加入適當(dāng)?shù)娜哂唷@,如果已知制造過程的良率為90%(10%的耦合器不完美),其中一半的不完美導(dǎo)致完全故障,另一半卡在交叉模式,則應(yīng)將mesh大小增加約25%以保持所需的性能水平。" Y% i/ u" Q/ ~' v" k# v/ S
    % e3 t3 x/ s# M! P7 O
    7 O. D3 I4 a# r4 p  m
    結(jié)論! w2 c) R  \0 w9 t+ H$ p8 h
    本文提供了可編程光電子集成線路中路由的概述,重點關(guān)注mesh架構(gòu)對性能的影響。主要要點包括:
    # @7 O; v6 J5 r, s' Q1 ^( ]1 |
  • 六邊形tile mesh提供了最佳的整體路由能力,尤其是對于復(fù)雜的路由場景。
  • 新型的環(huán)連接直線(RCSL)架構(gòu)在需要較短路徑長度的場景中顯示出潛力,特別是當(dāng)mesh預(yù)期不會被密集使用時。
  • 不同類型的耦合器故障對mesh性能的影響各不相同,完全故障的影響最為嚴(yán)重。
  • 設(shè)計者可以利用這些信息選擇適當(dāng)?shù)募軜?gòu),并根據(jù)預(yù)期的制造良率和故障模式加入必要的冗余。
    . k( i; s- G4 X3 O3 V

    6 S3 N! G8 R7 |( `9 c- m隨著PPICs的不斷發(fā)展,理解路由和mesh設(shè)計的這些基本方面對于為廣泛的應(yīng)用開發(fā)高效可靠的光電子系統(tǒng)將非常重要。6 I4 Y! [6 Q$ _$ G- L0 C/ b  K
    * N- J' C2 i. ]3 e4 y

    ( d$ \; x; {) ~0 p2 D& p參考文獻(xiàn)( l0 V% M% F0 u  x* Q
    [1] F. Vanden Kerchove, D. Colle, W. Tavernier, W. Bogaerts and M. Pickavet, "Routing impact of architecture and damage in programmable photonic meshes," Photonics Research, vol. 12, no. 9, pp. 1999-2011, Sep. 2024.8 ~% U9 w  d+ K! J, x% ]0 U
    9 @; f* h) k8 L( B
    - END -
    3 h% n2 t" m6 O( ^* |2 z: D' G1 a! m$ n& r
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    ; a1 l: j2 o0 d. \% c4 Y歡迎轉(zhuǎn)載
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    ; D% f/ |, m; F5 Y4 G' D轉(zhuǎn)載請注明出處,請勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!# W. S, {" x! L/ b) h- H

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