光子集成相控陣測(cè)試

逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化

引言
7 t4 L: I" ]0 d1 L- K$ s光子集成相控陣是光學(xué)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高級(jí)光束控制和成形能力的先進(jìn)設(shè)備。這些陣列在電信、激光雷達(dá)和光學(xué)傳感等多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。為確保最佳性能，全面測(cè)試這些設(shè)備非常重要。本文將介紹用于評(píng)估光子集成相控陣及其關(guān)鍵組件的測(cè)試原理、方法和系統(tǒng)[1]。
& l! e+ s& j8 F" n1 t6 B
. ]) H: O; e: F8 g$ I光子集成相控陣簡(jiǎn)介
% S: M6 g, `8 u2 k3 z/ ?光子集成相控陣由幾個(gè)關(guān)鍵組件組成，包括光耦合器、功率分配器、相移器和光天線。這些單個(gè)元件的性能顯著影響整體系統(tǒng)性能。在深入研究完整相控陣系統(tǒng)的測(cè)試之前，了解如何測(cè)試這些單個(gè)組件非常重要。

# M$ M4 {4 {9 S; {$ \& B) ?關(guān)鍵組件測(cè)試
光天線
; G  E( M" C+ w光天線是光子集成相控陣中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)將光輻射到自由空間。光天線的主要測(cè)試特性包括：
3 A) d* p4 d& ~$ Q8 N
圖1顯示了用于評(píng)估光天線的測(cè)試光路布局。

2 T5 y0 m+ Q- X7 M! x/ u為測(cè)試光天線的輻射特性，我們通常使用圖4.1所示的設(shè)置。該過(guò)程涉及將激光源的光通過(guò)光柵耦合器耦合到硅波導(dǎo)中。然后光在波導(dǎo)中傳播，并由被測(cè)試的光天線輻射出去。
+ E: P: ~5 f/ h
) F. \# H, ^5 i1 K) v* q* {5 N圖2展示了光天線測(cè)試系統(tǒng)的示意圖。

8 e0 [6 G0 A  |& Y: o. B& o4 I如圖2所示，測(cè)試系統(tǒng)包括激光源、偏振控制器、光柵耦合器、光天線和檢測(cè)設(shè)備，如連接到功率計(jì)的光纖或紅外CCD。
, h  o, X* |: l! Q& V
要計(jì)算光天線的輻射效率，使用以下公式：

η_rad = P_rad / P_in_antenna
5 L, h, i" u' \; q# Z/ n; B
, P; \4 a$ ~. W4 J( D其中：

η_rad 是輻射效率

P_rad 是輻射光功率

P_in_antenna 是天線的輸入光功率

在計(jì)算輻射效率時(shí)，需要考慮耦合效率、波導(dǎo)損耗和雙向輻射等因素。
2 b, S9 c4 D0 r$ W4 K% N4 \
光相移器
- F/ m  v, i. P; v, S. I相移器是光子集成相控陣中的重要組件，可以精確控制每個(gè)通道中光的相位。相移器的主要測(cè)試特性包括：

相移范圍

功耗

響應(yīng)時(shí)間
; d) M) p5 N: I" O; o5 u" L/ Y: z[/ol]
8 f/ |7 H+ Y$ [  N. Z為測(cè)試相移器，我們通常使用馬赫-曾德干涉儀（MZI）結(jié)構(gòu)。這種間接方法允許我們通過(guò)觀察干涉圖案來(lái)測(cè)量相位變化。

圖3展示了用于測(cè)試相移器的硅基馬赫-曾德干涉儀的示意圖。
- m: E. n4 I8 R  r! A
MZI結(jié)構(gòu)將輸入光分成兩個(gè)路徑，其中一個(gè)路徑包含被測(cè)試的相移器。通過(guò)改變施加到相移器上的電壓或電流，我們可以觀察輸出強(qiáng)度的變化，這與相位變化相關(guān)。
8 U+ d6 X9 M$ H4 r9 l* d* S" y
7 d- a8 n* g6 v1 s要測(cè)試相移范圍，請(qǐng)按照以下步驟操作：
1. 在一個(gè)臂中設(shè)置帶有相移器的MZI結(jié)構(gòu)。
2. 改變施加到相移器上的電壓或電流。
3. 測(cè)量每個(gè)電壓/電流值的輸出光功率。
- W  f% K% A$ g# \, I/ \4. 繪制輸出功率與電壓/電流的關(guān)系圖，以確定Vπ（π相移所需的電壓）或Pπ（π相移所需的功率）。
6 |/ E0 n) @( T( ?

- h* `" K. W0 Z圖4顯示了馬赫-曾德干涉儀結(jié)構(gòu)的輸出光功率隨(a)電壓和(b)加載在相移器兩端的功率的變化。

要測(cè)試相移器的響應(yīng)時(shí)間：

將方波信號(hào)施加到相移器上。

使用光電探測(cè)器和示波器觀察輸出信號(hào)。

測(cè)量信號(hào)的上升時(shí)間，這對(duì)應(yīng)于相移器的響應(yīng)時(shí)間。
[/ol]
/ v6 Z3 n  v! r! V. u' z

: E9 N9 N9 J3 a圖5顯示了光電探測(cè)器輸出信號(hào)隨調(diào)制方波信號(hào)的變化，用于確定相移器的響應(yīng)時(shí)間。

% b/ t) k; E* M- d  F* H測(cè)試完整的光子集成相控陣芯片
& ?( Z- l  S3 q$ c$ m在測(cè)試單個(gè)組件之后，評(píng)估整個(gè)光子集成相控陣芯片的性能非常重要。
主要評(píng)估特性包括：

光束指向

光束寬度

旁瓣電平

光束掃描范圍
* h7 s( z% k0 p4 m
6 C  {: R4 ]! o  i- ^測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)
/ t- N$ _( ^& _, a* Z1 V* D. W為測(cè)試光子集成相控陣芯片，需要一個(gè)綜合測(cè)試系統(tǒng)。這個(gè)系統(tǒng)通常由光學(xué)和電氣組件組成。


7 f: A2 s0 j6 P7 M' `圖6展示了硅基光相控陣光束掃描特性測(cè)試系統(tǒng)的示意圖。
! u: a% r/ t' d" P* w# }8 ?& v
測(cè)試系統(tǒng)包括以下關(guān)鍵組件：
0 m: O7 J2 m) ~9 Q8 W. q

激光源

光耦合機(jī)制（光纖耦合）

光子集成相控陣芯片

遠(yuǎn)場(chǎng)成像系統(tǒng)

紅外CCD

用于控制和數(shù)據(jù)采集的計(jì)算機(jī)

相移器控制的電流/電壓源
& [  J- @6 c* b/ x% ^7 Q. d
光學(xué)組件
測(cè)試系統(tǒng)的光學(xué)部分負(fù)責(zé)將光耦合到芯片中并捕獲遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式。
( `7 z8 w* O6 Y主要由三個(gè)部分組成：
' b2 u: ]( L! y" q  O' [

精密調(diào)節(jié)組件

實(shí)時(shí)觀察組件

三透鏡遠(yuǎn)場(chǎng)成像組件

, c: E& ^( b& N7 O" t
圖7顯示了硅基光相控陣芯片測(cè)試系統(tǒng)光學(xué)部分的示意圖。

精密調(diào)節(jié)組件包括六軸高精度對(duì)準(zhǔn)平移臺(tái)和光纖夾具。這些組件確保光纖相對(duì)于芯片的精確定位，以實(shí)現(xiàn)高效的光耦合。

實(shí)時(shí)觀察組件包括顯微成像鏡頭、平移臺(tái)、CCD和監(jiān)視器。這些允許在對(duì)準(zhǔn)和測(cè)試過(guò)程中直接觀察芯片和光纖。

三透鏡遠(yuǎn)場(chǎng)成像組件對(duì)于檢測(cè)光相控陣芯片中天線和陣列的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式非常重要。
6 v, Q$ b* N$ z
. O& q$ h) s; T3 P! F圖8展示了三透鏡遠(yuǎn)場(chǎng)成像組件的示意圖。
: M$ E- ~* F, B/ k: a$ J, v

圖9顯示了三透鏡遠(yuǎn)場(chǎng)成像組件的光路圖。

# q- Y- z9 `' @8 p  a# \# W三透鏡系統(tǒng)包括：
# c' a; Y8 p2 `* [7 ]

透鏡1：收集光相控陣的輻射場(chǎng)（高數(shù)值孔徑）

透鏡2和透鏡3：形成望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)以放大遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式

通過(guò)調(diào)整透鏡配置，該設(shè)置允許進(jìn)行遠(yuǎn)場(chǎng)和近場(chǎng)成像。

電氣組件
9 v/ y( Z3 Z' ^6 X; e; d測(cè)試系統(tǒng)的電氣部分旨在：

測(cè)試芯片中金屬電極的電阻

測(cè)量各組件的功耗

控制相移器
+ R& p' ?# l& K/ Q# F[/ol]
% _$ n. C: p, z0 L0 Q& A  i2 Q主要電氣組件包括：

鎢探針平臺(tái)

數(shù)字源表

多通道電壓/電流控制器

萬(wàn)用表

示波器

信號(hào)發(fā)生器

放大器
+ s5 R: n: l& k6 h' e[/ol]
& F; X5 J  N% [4 J, N
2 ?; {( {1 t6 L5 z) l4 p$ E- c圖10顯示了用于連接芯片上單個(gè)相移器的鎢探針平臺(tái)。

2 {! Y: i/ q1 |0 v3 Y0 U對(duì)于具有大量相移器的芯片，通常需要將其鍵合到印刷電路板上。

2 t- |4 f% u5 b圖11顯示了帶有金線鍵合的印刷電路板上的芯片照片，用于連接多個(gè)相移器。
1 y- L  H  A+ w$ f  ~
' N# d3 @- h* m5 T測(cè)試程序
要測(cè)試光子集成相控陣芯片的光束掃描特性，請(qǐng)按照以下步驟操作：

按圖12所示設(shè)置測(cè)試系統(tǒng)。

使用光纖耦合將激光源的光耦合到芯片中。

使用多通道電壓/電流源將電壓或電流施加到相移器上。

使用紅外CCD捕獲遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式。

使用優(yōu)化算法調(diào)整相移器電壓/電流，以實(shí)現(xiàn)精確的光束指向。

迭代優(yōu)化過(guò)程以達(dá)到所需的光束特性（指向方向、旁瓣電平等）。

記錄電壓/電流分布和遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式以進(jìn)行分析。
[/ol]

圖12硅基光相控陣光束掃描特性測(cè)試系統(tǒng)示意圖
1 {+ O4 T' g/ E/ y0 c
相位優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)精確光束指向
3 _) t; S1 f3 W* O: F2 ~由于制造工藝誤差，每個(gè)輻射光路徑的初始相位可能偏離理論設(shè)計(jì)值。為實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的光束指向，需要使用相位優(yōu)化方法。以下是逐步方法：
6 o6 \1 @+ v! J0 ~7 I  X1. 使用計(jì)算機(jī)編程控制多通道電壓/電流源。
8 w$ W! x" ]% h7 n; r; J# y# b% j2. 對(duì)陣列中的每個(gè)相移器施加一組隨機(jī)電壓值。
3. 使用紅外CCD收集遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式。
" A( L4 `! Q$ t' O( g4. 使用優(yōu)化算法（如粒子群優(yōu)化、模擬退火或爬山算法）確定預(yù)期和當(dāng)前光束指向方向之間的差異。
5. 根據(jù)優(yōu)化算法生成新的電壓/電流值集。
6. 將新值應(yīng)用于相移器并收集更新的遠(yuǎn)場(chǎng)模式。
7. 重復(fù)步驟4-6，直到光束準(zhǔn)確地指向預(yù)定方向，并具有最低的旁瓣電平。
4 S/ Y+ n$ o8 C6 t2 D7 W8. 記錄最終的電壓/電流分布和遠(yuǎn)場(chǎng)輻射模式以供進(jìn)一步分析。
0 f* R; P# ]$ K% P/ ~
這種優(yōu)化過(guò)程適用于各種規(guī)模的光相控陣芯片，可顯著提高光束掃描精度。

, |9 M9 ?' S2 ]: r+ y
實(shí)際考慮因素和建議
* U* c) Z! i- p) S+ Q0 L在測(cè)試光子集成相控陣芯片時(shí)，請(qǐng)記住以下幾點(diǎn)：

確保芯片的適當(dāng)溫度控制，因?yàn)闊岵▌?dòng)會(huì)影響相移器性能。

使用高質(zhì)量光學(xué)組件以最小化損耗并保持信號(hào)完整性。

定期校準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)以確保測(cè)量準(zhǔn)確。

使用基于探針的供電方法時(shí)，注意不要損壞芯片表面或電極。

對(duì)于大規(guī)模陣列，考慮使用鍵合和定制PCB，以便更容易控制多個(gè)相移器。

實(shí)施適當(dāng)?shù)钠帘魏徒拥丶夹g(shù)，以最小化測(cè)量中的電氣噪聲。

使用自動(dòng)化軟件簡(jiǎn)化測(cè)試過(guò)程，特別是對(duì)于相位優(yōu)化程序。
8 I3 _3 V3 k. V$ O" X[/ol]
) Z" n; F9 W4 ^0 X& v結(jié)論
測(cè)試光子集成相控陣是復(fù)雜但重要的過(guò)程，以確保這些先進(jìn)光學(xué)系統(tǒng)的性能。通過(guò)遵循本文中概述的方法和程序，可以有效評(píng)估光子集成相控陣芯片的關(guān)鍵組件和整體性能。徹底的測(cè)試和優(yōu)化是開(kāi)發(fā)用于電信、傳感和成像技術(shù)等各種應(yīng)用的高性能光相控陣的重要步驟。
) H8 h  Z- L' n參考文獻(xiàn)
0 ?' s# b3 G# w2 l" `  X; r[1] T. Dong, J. He, and Y. Xu, "Photonic Integrated Phased Array Technology," China Astronautic Publishing House Co., Ltd., 2024.

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