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作者：一博科技0 ]4 ~/ b7 x0 I2 t4 j- s) {) D6 G; A
n6 o7 O! C% s7 E O3 }7 k前面高速先生團(tuán)隊已經(jīng)講解過眾多的DDR3理論和仿真知識，下面就開始談?wù)勎覀僉ATOUT攻城獅對DDR3設(shè)計那些事情了，那么布局自然是首當(dāng)其沖了。
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對于DDR3的布局我們首先需要確認(rèn)芯片是否支持FLY-BY走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，來確定我們是使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).。
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常規(guī)我們DDR3的布局滿足以下基本設(shè)計要求即可：
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1.考慮BGA可維修性：BGA周邊器件5MM禁布，最小3MM。 . }% s& \3 ~/ [7 Q, \
2.DFM 可靠性：按照相關(guān)的工藝要求，布局時器件與器件間滿足DFM的間距要求；且考慮元件擺放的美觀性。
+ z0 {3 R7 P a: n0 [# h) E3.絕對等長是否滿足要求，相對長度是否容易實(shí)現(xiàn)：布局時需要確認(rèn)長度限制，及時序要求，留有足夠的繞等長空間。$ t0 K# A! \( i3 p1 t
4.濾波電容、上拉電阻的位置等：濾波電容靠近各個PIN放置，儲能電容均勻放置在芯片周邊（在電源平面路徑上）；上拉電阻按要求放置(布線長度小于500mil）。 ) @* n7 b; U& L8 E7 X2 X! I4 q
注意：如有提供DEMO板或是芯片手冊，請按照DEMO板或是芯片手冊的要求來做。- m- o. b8 m/ n; F9 [' |7 X
; V' D* C! n& X1.濾波電容的布局要求
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9 z1 C3 Q6 q. Y: a( g; A- f9 G電源設(shè)計是pcb設(shè)計的核心部分，電源是否穩(wěn)定，紋波是否達(dá)到要求，都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分，遵循以下原則： # u+ V7 E ]2 r: J9 L; d |4 [
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CPU端和DDR3顆粒端，每個引腳對應(yīng)一個濾波電容，濾波電容盡可能靠近引腳放置。5 N+ A; D% q# C; r j/ F
線短而粗，回路盡量短；CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲能電容，DDR3顆粒每片至少有一個儲能電容。 ) s0 l, s6 y4 ]6 v5 Z* m
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圖1：VDD電容的布局（DDR顆粒單面放） ) j* K7 N8 e0 E8 A
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如圖2所示：VDD電容的布局（DDR顆粒正反貼）
4 J0 R T8 [1 h6 h3 p w6 ~DDR 正反貼的情況，電容離BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近連接就連接在一起。, s3 v6 w- l) q% Q
" V* m1 i. ?! W! J2.VREF電路布局
& m; F h1 ~5 L5 G3 l' s5 I在DDR3中，VREF分成兩部分：
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' B7 B$ Z; G J0 L8 ]! X一個是為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA；另一個是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ。
: n, ~# a3 A" p0 y7 |: P# W- n; d- P在布局時，VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳，如圖3所示。
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) H3 w) B1 e- j圖3：VREF電路布局
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3.匹配電阻的布局
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為了提高信號質(zhì)量，地址、控制信號一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)可以通過調(diào)節(jié)ODT 來實(shí)現(xiàn)，所以一般建議不用加電阻。
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布局時要注意電阻的擺放，到電阻端的走線長度對信號質(zhì)量有影響。8 v- Y( x3 [' P$ t8 b
& E. n# ~. A$ m. S l8 J8 ?8 X布局原則如下：9 Q$ ]( @9 [" K* M- O3 ^; g' \* b
8 Q) X7 ~" J3 V/ e' S
對于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動）放，而對于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端（FLy-BY靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置而T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）. S( b& r* }) P$ {6 w- y' S
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下圖是源端匹配電阻布局示意圖； 5 G7 B9 n% F3 H5 n5 r0 @: O
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圖4：源端匹配電阻 & _4 v- A+ G, E3 r0 t: B. o
) h( Q6 W$ d5 C. j圖4：并聯(lián)端接
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, T" p7 f$ H$ i9 u0 Y' E& q而對于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好；走線長度小于500mil；每個VTT上拉電阻對應(yīng)放置一個VTT的濾波電容（最多兩個電阻共用一個電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接，所以放置濾波電容時需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。
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( [4 z* X7 {4 t& z圖5：VTT濾波電容 4 K3 k) m* Z# ~4 y y/ u" k0 X
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DDR3的布局基本沒有什么難點(diǎn)，只是要注意諸多細(xì)節(jié)之處，相信大家都已經(jīng)學(xué)會。, U/ P# B; I: }. _
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