|
|
作者：一博科技
$ V& ^. t5 k7 l& O x4 [9 w
E0 z8 \0 c9 u前面高速先生團(tuán)隊(duì)已經(jīng)講解過(guò)眾多的DDR3理論和仿真知識(shí)，下面就開(kāi)始談?wù)勎覀僉ATOUT攻城獅對(duì)DDR3設(shè)計(jì)那些事情了，那么布局自然是首當(dāng)其沖了。; e8 E0 f$ k( g
2 Z5 ]9 u- \' c/ S% C* x, ^. j/ t4 l
對(duì)于DDR3的布局我們首先需要確認(rèn)芯片是否支持FLY-BY走線(xiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，來(lái)確定我們是使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還是FLY-BY拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).。
# ~9 P7 E F% v, e
! H' K9 h9 I3 [; z7 f' Y M常規(guī)我們DDR3的布局滿(mǎn)足以下基本設(shè)計(jì)要求即可：
+ _( ]/ j! B P( b G( x7 i6 p4 E" `* M; G: l3 q; q
1.考慮BGA可維修性：BGA周邊器件5MM禁布，最小3MM。
3 ?! `$ t; d f5 ~% H( B; r2.DFM 可靠性：按照相關(guān)的工藝要求，布局時(shí)器件與器件間滿(mǎn)足DFM的間距要求；且考慮元件擺放的美觀性。 U `% x* ~3 x& k4 U. Z
3.絕對(duì)等長(zhǎng)是否滿(mǎn)足要求，相對(duì)長(zhǎng)度是否容易實(shí)現(xiàn)：布局時(shí)需要確認(rèn)長(zhǎng)度限制，及時(shí)序要求，留有足夠的繞等長(zhǎng)空間。; S# H7 [ a+ T6 u) P( z2 E$ ~+ R
4.濾波電容、上拉電阻的位置等：濾波電容靠近各個(gè)PIN放置，儲(chǔ)能電容均勻放置在芯片周邊（在電源平面路徑上）；上拉電阻按要求放置(布線(xiàn)長(zhǎng)度小于500mil）。 " ^& h5 x% p, g2 E1 }
注意：如有提供DEMO板或是芯片手冊(cè)，請(qǐng)按照DEMO板或是芯片手冊(cè)的要求來(lái)做。( T; B0 K/ y( `; A2 n3 T; U( W
2 ^" c6 [( E( a
1.濾波電容的布局要求 & X+ I: Y' j+ ~$ p& A" w+ t
; R, m) A8 T! T7 s T9 }; m8 t電源設(shè)計(jì)是pcb設(shè)計(jì)的核心部分，電源是否穩(wěn)定，紋波是否達(dá)到要求，都關(guān)系到CPU系統(tǒng)是否能正常工作。濾波電容的布局是電源的重要部分，遵循以下原則：
B3 ~) A) O+ E; J: g- a
3 k' c- o' k: a. w3 _* p4 eCPU端和DDR3顆粒端，每個(gè)引腳對(duì)應(yīng)一個(gè)濾波電容，濾波電容盡可能靠近引腳放置。
3 l" [' P" J3 E. D$ J線(xiàn)短而粗，回路盡量短；CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲(chǔ)能電容，DDR3顆粒每片至少有一個(gè)儲(chǔ)能電容。 5 V6 c0 T% R. w2 u8 I8 ^% B
: Z$ S0 z% Z) ]- R, h: |
3 o4 o, S: p; O8 ~
圖1：VDD電容的布局（DDR顆粒單面放）
2 z9 {( w! c" B% C/ D Y7 P% X; g& k) a
如圖2所示：VDD電容的布局（DDR顆粒正反貼）
' R, s; G# C) J/ [DDR 正反貼的情況，電容離BGA 1MM，就近打孔；如可以跟PIN就近連接就連接在一起。; O9 O1 u- j7 Z% ]) B
6 z5 [% ~3 M$ [8 p9 ]
2.VREF電路布局
[8 b! h. t" f1 M7 l在DDR3中，VREF分成兩部分：
. {2 s% J# S0 z2 m
7 o7 E+ `5 p& a$ G3 ?+ D/ [0 a一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA；另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ。
; H% f7 q/ \! [& e6 t在布局時(shí)，VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近芯片的電源引腳，如圖3所示。 ; J& t6 l' q! ?( ?6 u! o. s' @0 s
. H5 D/ _% c, n/ z$ p' x; y+ ], f- h4 }8 F
圖3：VREF電路布局
0 |. j' q5 [. W4 z7 |" {/ r4 ~ g$ b. Y4 E7 y" B
3.匹配電阻的布局# g4 c2 |7 W$ K6 P$ S
% f4 z. P" V0 D) I: y2 a為了提高信號(hào)質(zhì)量，地址、控制信號(hào)一般要求在源端或終端增加匹配電阻；數(shù)據(jù)可以通過(guò)調(diào)節(jié)ODT 來(lái)實(shí)現(xiàn)，所以一般建議不用加電阻。% y2 [1 ]" c d( C( V
5 c2 F. d. d% e0 ]1 |+ C
布局時(shí)要注意電阻的擺放，到電阻端的走線(xiàn)長(zhǎng)度對(duì)信號(hào)質(zhì)量有影響。
9 h/ L+ |# L/ Q. E* a2 w3 H7 S* a w0 R. E0 l
布局原則如下：
% t: ^4 R/ [, H. v; [8 J6 s( G4 `! a& y; Z/ K2 U* d) o. Q& z6 l
對(duì)于源端匹配電阻靠近CPU（驅(qū)動(dòng)）放，而對(duì)于并聯(lián)端接則靠近負(fù)載端（FLy-BY靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置而T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）
% F; p' t0 n+ U- o
! k) `& O9 p; H7 S* y下圖是源端匹配電阻布局示意圖； 4 V, {/ [. ^. q& r
6 {( Q/ P4 z, n+ b0 g1 K$ v2 Q' Q1 O
. b1 G% }0 a* F: y
圖4：源端匹配電阻 5 Z; p' p7 j2 M/ a
1 L- ~' W0 p5 S# R- X& i圖4：并聯(lián)端接 2 p0 A& w# R! [9 L3 N6 z; |- G. Z
; ?& s' E% H9 h5 C3 r* A3 v5 X" ]
而對(duì)于終端VTT上拉電阻要放置在相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的末端，即靠近最后一個(gè)DDR3顆粒的位置放置（T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是靠近最大T點(diǎn)放置）；注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線(xiàn)越短越好；走線(xiàn)長(zhǎng)度小于500mil；每個(gè)VTT上拉電阻對(duì)應(yīng)放置一個(gè)VTT的濾波電容（最多兩個(gè)電阻共用一個(gè)電容）；VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來(lái)完成連接，所以放置濾波電容時(shí)需要兼顧兩方面，一方面要保證有一定的電源通道，另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠(yuǎn)，以免影響濾波效果。
- n; p1 X: C& n0 S5 M+ O
8 n' R2 c3 H: Q! N* x
' p+ P" V" m! a. b4 i# Z+ @7 j4 A圖5：VTT濾波電容 % s7 j8 a1 W' L
+ ^7 j& N8 k: {0 m$ N& hDDR3的布局基本沒(méi)有什么難點(diǎn)，只是要注意諸多細(xì)節(jié)之處，相信大家都已經(jīng)學(xué)會(huì)。
( R( w" \. R1 E9 F ^8 j# l3 [' S. u; R
, v& o; f3 a! J; s) x% W8 F* X: D
|
|
電子產(chǎn)業(yè)一站式賦能平臺(tái)
窺視卡
置頂卡
變色卡
