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利用3D光電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低能耗、高帶寬密度的芯片數(shù)據(jù)鏈路

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發(fā)表于 2024-11-8 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言; _* |) R9 A$ i( l$ _
在人工智能(AI)和先進(jìn)計(jì)算的時(shí)代,芯片間高效數(shù)據(jù)通信的需求比以往任何時(shí)候都更加迫切。雖然AI芯片開發(fā)速度迅猛,但連接這些芯片的網(wǎng)絡(luò)卻落后了,這成為了擴(kuò)展AI性能的重大瓶頸。本文探討了突破性的方法,通過使用3D集成光電子技術(shù)來解決這一挑戰(zhàn),實(shí)現(xiàn)超低能耗、高帶寬密度的芯片數(shù)據(jù)鏈路[1]。/ L; R, c2 V2 j) {7 L+ O' z
9 v6 }! \1 y& p' J/ m: S6 m
/ ?# u9 F) a) t5 I  r# ~1 f: p
芯片間通信的挑戰(zhàn)
3 @- O$ k& l; t, o, r隨著AI硬件不斷發(fā)展,計(jì)算速度和通信帶寬之間的差距顯著擴(kuò)大。在過去二十年中,芯片計(jì)算速度的增長比通信帶寬快了一千倍。這種差異導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪芰肯牟怀杀壤馗,目前?shù)據(jù)傳輸?shù)哪芎谋扔?jì)算本身高出兩個(gè)數(shù)量級(jí)。6 h5 L  k" j7 G6 r. |
! x7 d1 h) `3 K
3D集成光電子收發(fā)器
3 ^0 n! x5 l1 Y& ]$ a' G" G為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),研究人員開發(fā)了新型3D集成光電子收發(fā)器。結(jié)合了光子和電子芯片的密集3D集成,實(shí)現(xiàn)了迄今為止能耗最低的光學(xué)數(shù)據(jù)鏈路。
6 w' ~8 ~  X8 T, G % A5 C0 E, `% q
圖1:3D集成光電子收發(fā)器。此圖展示了3D集成系統(tǒng)的組件和結(jié)構(gòu)。2 T4 f3 b9 i6 X# y) l

4 i! d! k. A5 @0 x8 ]' R# {本研究中展示的收發(fā)器每傳輸一位數(shù)據(jù)僅消耗120飛焦耳(fJ)的能量,同時(shí)在每平方毫米芯片面積上提供5.3太比特每秒(Tb/s)的帶寬密度。這些數(shù)據(jù)比之前的演示在能耗和帶寬密度方面都提高了一倍。
2 O1 `  _2 Y3 O3 P  I% q/ b( z0 X* j) b2 |/ ~8 g" Q
關(guān)鍵組件和設(shè)計(jì)) x/ H) d+ J% b* k+ `6 u. {5 I
收發(fā)器系統(tǒng)包含幾個(gè)關(guān)鍵組件:
  • 光子芯片:包含基于微諧振器的發(fā)射器和接收器陣列。
  • 電子芯片:包含控制和處理線路。
  • 3D集成:利用銅柱凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)光子和電子芯片之間的高密度連接。
    : W8 P1 a6 w# d[/ol]$ `: a0 R9 D* _$ y* U* I

    8 v5 x8 E( ?1 n5 P0 U  r圖2:電子和光子芯片鍵合的橫截面掃描電子顯微鏡圖像,展示了兩層的集成。
    ) q9 r2 T- P' I7 ~0 b
    9 h9 d7 k% _+ S: C1 a# \該系統(tǒng)采用80通道基于微諧振器的發(fā)射器和接收器陣列,每個(gè)通道以10 Gb/s的速率運(yùn)行。這種大規(guī)模并行性允許在保持單個(gè)通道速率相對較低的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高總帶寬,從而優(yōu)化能源效率。
    ! g; e9 N! d+ S1 ?
    $ j* F4 P! S* b; X" I1 ?發(fā)射器設(shè)計(jì)和性能
    2 L  h$ f' e: D+ P陣列中的發(fā)射器單元設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最佳能源效率和信號(hào)質(zhì)量。
    : z8 \, t& Z, n3 y, \- [9 J4 o
    3 g" P8 ~7 s. B5 E, k3 C圖3:發(fā)射器特性和性能。此圖顯示了發(fā)射器設(shè)計(jì)的各個(gè)方面和性能指標(biāo)。
    ) ~4 ~) W  ]7 J: ]: B" i
    + B) ]* W* M( |  o6 ]9 }$ C當(dāng)以1 V擺幅驅(qū)動(dòng)微盤時(shí),每個(gè)發(fā)射器單元僅消耗50 fJ/位。垂直p-n結(jié)微盤通過在p-n耗盡區(qū)和盤的光學(xué)回廊模式之間實(shí)現(xiàn)更高的重疊,使得低電壓驅(qū)動(dòng)成為可能,相比橫向結(jié)更為優(yōu)越。& f1 R% b1 a+ s7 U0 a& r
    % s' C" w+ C) H4 B3 C) k9 U0 N4 k4 y
    圖4:光子芯片上所有80個(gè)調(diào)制器的眼圖,展示了傳輸信號(hào)的一致性和質(zhì)量。4 _, x' F1 C, C' h( a5 z

    $ i1 R' o3 d4 L3 a- H發(fā)射器實(shí)現(xiàn)了出色的信號(hào)質(zhì)量,所有80個(gè)通道都有開放的眼圖,并在各種驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)了無錯(cuò)誤性能(誤碼率
    . V: O* D/ O6 S- [
    5 F# ]: p# t, z$ H, o接收器設(shè)計(jì)和性能3 x2 t$ |, \3 T3 c1 @3 z
    接收器單元設(shè)計(jì)旨在以最小的能量消耗將光信號(hào)高效地轉(zhuǎn)換回電域。, P( _( V, S3 M( M1 f0 y+ d! @

    4 m! l) q7 j3 d0 H6 ^圖5:接收器特性和性能。此圖概述了接收器的設(shè)計(jì)和關(guān)鍵性能指標(biāo)。% z% ^3 {6 r5 P) K! p
    5 m8 K2 p0 ^3 U& q( C
    當(dāng)以-24.85 dBm平均功率接收10 Gb/s信號(hào)時(shí),每個(gè)接收器單元消耗70 fJ/位,誤碼率為4×10^-10。接收器中使用的光電二極管是一種垂直p-硅,i-鍺,n-鍺二極管,能以1 A/W的效率高效地將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流。
    2 z. \- \$ k4 F7 Z1 P% k" ^# ^
    8 s- f7 A- [" i, s* j8 i' V# i& D  d接收器在4×10^-10誤碼率下實(shí)現(xiàn)了-24.85 dBm的靈敏度,使用19 dB消光比信號(hào)測得的輸入?yún)⒖荚肼暈?80 nW。
    2 T" `' u8 J$ X; ]* K
    ) ^/ T/ I) Z" Y, C完整數(shù)據(jù)通信鏈路9 s9 J! D/ g2 s7 |# k, @8 ]# F! U
    為了驗(yàn)證整個(gè)系統(tǒng)的性能,研究人員將兩個(gè)獨(dú)立的收發(fā)器連接成一個(gè)完整的數(shù)據(jù)通信鏈路。: A1 [% W, D. N% G6 a
    3 _# [& D+ l+ R7 h' k& c8 i
    圖6:發(fā)射器到接收器數(shù)據(jù)通信鏈路演示。此圖展示了完整鏈路的設(shè)置和性能。
    0 u0 L2 B! R, {; {8 G1 B- }8 y& g% J7 U. s4 w% y0 u
    在這種配置中,一個(gè)收發(fā)器作為發(fā)射器,另一個(gè)作為接收器。共享時(shí)鐘同步兩個(gè)電子芯片,每個(gè)接收器單元中的可編程時(shí)鐘延遲將傳輸?shù)臄?shù)據(jù)與接收器采樣點(diǎn)對齊。鏈路演示顯示了出色的性能,每個(gè)通道都有開放的眼圖,所有通道的誤碼率都很低。
    ! D) j/ |8 ^( k$ [- b) W4 J: \0 d. v# f7 K' Z
    3D集成方法的優(yōu)勢: S" f% ^* u! e2 I8 T! H& y
    與傳統(tǒng)的單片集成相比,3D集成方法提供了幾個(gè)優(yōu)勢:
  • 靈活性:允許光子和電子芯片使用不同的工藝節(jié)點(diǎn)。
  • 可擴(kuò)展性:能夠使用更先進(jìn)的CMOS節(jié)點(diǎn)以進(jìn)一步提高能源效率。
  • 密度:通過垂直堆疊實(shí)現(xiàn)更高的帶寬密度。  r- d# A0 K) E- x
    [/ol]
    5 y% f* j& A" o( O$ l3 p9 N未來改進(jìn)和挑戰(zhàn)5 T) q; o6 `' S" ]  Q$ Q
    雖然展示的系統(tǒng)在能源效率和帶寬密度方面實(shí)現(xiàn)了記錄性能,但仍有改進(jìn)空間:
    % }/ e- I+ n! X0 K
  • 調(diào)制器效率:開發(fā)電容更低、電光響應(yīng)更高的諧振調(diào)制器。
  • 光電二極管設(shè)計(jì):創(chuàng)建電容更低的光電二極管,以減少接收器的功耗和噪聲。
  • 先進(jìn)CMOS節(jié)點(diǎn):將電子線路移至更先進(jìn)的CMOS節(jié)點(diǎn),以進(jìn)一步降低能耗。
  • 鍵合技術(shù):探索混合鍵合技術(shù),實(shí)現(xiàn)更高的密度擴(kuò)展。
  • 熱管理:實(shí)施改進(jìn)的熱控制線路和技術(shù),以管理諧振器的溫度變化。
    3 {6 Z! H1 ^+ b( M) `
    1 a2 n7 h$ m7 i( f( Y3 a
    潛在應(yīng)用
    ' d; a! s" a4 \/ D9 B( |1 [; S這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超低功耗、高帶寬光學(xué)鏈路具有深遠(yuǎn)的影響:& z6 R% Z3 ^! r( F
  • AI和機(jī)器學(xué)習(xí):實(shí)現(xiàn)分布式AI計(jì)算節(jié)點(diǎn)之間更高效的通信。
  • 數(shù)據(jù)中心:提高大規(guī)模計(jì)算設(shè)施的互連效率,降低功耗。
  • 高性能計(jì)算:促進(jìn)處理器和內(nèi)存之間更快速、更節(jié)能的通信。
  • 邊緣計(jì)算:通過改進(jìn)的數(shù)據(jù)傳輸能力,實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大、更高效的邊緣器件。
    : d: ~3 V- j4 ^  |6 k) D& D( W

    ! ?; ^+ |! R9 r) c9 y5 `) S) `結(jié)論5 x7 n, K/ x8 D% t2 z" u
    本文介紹的3D集成光電子收發(fā)器在解決空間分布計(jì)算節(jié)點(diǎn)之間的帶寬瓶頸方面取得了突破。通過實(shí)現(xiàn)每傳輸一位數(shù)據(jù)僅消耗120 fJ的超低能耗和5.3 Tb/s/mm^2的高帶寬密度,這項(xiàng)技術(shù)為新一代AI計(jì)算硬件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),不再受數(shù)據(jù)局部性的限制。/ A! ^4 r# g7 l# V  b" P

    8 I( h( N: C, \" ~# t隨著該領(lǐng)域研究的不斷推進(jìn),我們可以期待能源效率、帶寬密度和集成技術(shù)方面的進(jìn)一步改進(jìn)。這些發(fā)展將在塑造計(jì)算未來方面發(fā)揮關(guān)鍵作用,使更強(qiáng)大、更高效的AI系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算應(yīng)用成為現(xiàn)實(shí)。
    , D7 \3 n7 ^1 i* C+ i* f& S' m# x- F* d1 S. w
    參考文獻(xiàn)6 _6 D/ [& G; z* Y% R
    [1] S. Daudlin et al., "3D photonics for ultra-low energy, high bandwidth-density chip data links," arXiv:2310.01615v1 [physics.optics], Oct. 2023.
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