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引言
) u/ e, [2 j5 {/ k半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,推動技術(shù)邊界,以滿足對更快、更高效、更強(qiáng)大電子設(shè)備的持續(xù)增長需求。這一領(lǐng)域的關(guān)鍵創(chuàng)新之一是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝。本文簡介2.5D和3D封裝技術(shù)的發(fā)展、優(yōu)勢和挑戰(zhàn),以及在各種應(yīng)用中的影響[1]。2 u. W9 w3 S. W i
( m; a$ L9 c3 Y& l. B1 q/ A% W6 D半導(dǎo)體封裝的演變
& R( v1 E% }2 J0 Z) y8 \# C. G W半導(dǎo)體封裝技術(shù)已從最初的1D PCB水平發(fā)展到今天的晶圓級3D混合鍵合封裝。這一進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了單位數(shù)微米的互連間距,能夠以高能效達(dá)到超過1000 GB/s的帶寬。9 J2 \$ f! g! m( J7 d5 a
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四個關(guān)鍵參數(shù)塑造了先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的發(fā)展:功率:通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提高功率效率。性能:通過縮短互連間距增加輸入/輸出(I/O)點(diǎn)數(shù),提高帶寬并減少通信長度。面積:高性能計算芯片需要更大的封裝面積,而3D集成則需要更小的z軸尺寸。成本:通過使用替代的更經(jīng)濟(jì)材料或提高制造設(shè)備效率,持續(xù)降低封裝成本。0 \0 r) i8 I7 G7 s
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2.5D封裝技術(shù)/ y. u k6 f' l4 h4 {. B( y0 _4 c
2.5D封裝技術(shù)涉及使用中間層連接多個芯片。根據(jù)中間層材料的選擇,2.5D封裝分為三種主要類型:
' O1 n+ E* t* C. S" u3 L& W1. 硅基中間層:
, _, S( `+ e" n8 G兩種選擇:硅中間層(全被動硅晶圓)和硅橋(扇出式模塑化合物中的局部硅橋或帶腔基板)。優(yōu)勢:最精細(xì)的布線特征,適用于高性能計算集成。挑戰(zhàn):材料和制造成本較高,封裝面積限制。未來趨勢:增加使用局部硅橋以解決面積限制和成本問題。6 M; S+ P: a( I3 k- Q
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0 n! T$ j5 ` A5 w2. 有機(jī)基中間層:' M" q ~( e5 b: w5 ]! A7 q% p. M
使用扇出式模塑化合物而非有機(jī)基板。優(yōu)勢:介電常數(shù)低于硅(較低的RC延遲),更具成本效益。挑戰(zhàn):難以達(dá)到與硅基封裝相同水平的互連特征縮減。/ x4 o6 [8 W; o: e) w" E
. C4 F, g: s, s: _- `3. 玻璃基中間層:
2 B6 c$ m" ^( E3 r, X9 L優(yōu)勢:可調(diào)熱膨脹系數(shù)(CTE),高尺寸穩(wěn)定性,光滑平整的表面。布線特征有潛力與硅媲美。挑戰(zhàn):生態(tài)系統(tǒng)不成熟,目前缺乏大規(guī)模量產(chǎn)能力。
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3D封裝技術(shù)' |8 X+ r# g6 C5 ]; f& o0 x, m
3D封裝技術(shù)專注于芯片的垂直堆疊,主要有兩種方法:2 M* e" L6 X& M2 z" X- k' G- Y
1. 微凸點(diǎn)技術(shù):
8 d$ E' [) [, [; Y9 `7 H基于熱壓焊接(TCB)工藝。技術(shù)成熟,應(yīng)用于多種產(chǎn)品。持續(xù)努力縮小凸點(diǎn)間距。挑戰(zhàn):較小焊球中金屬間化合物(IMCs)形成增加,潛在的焊球橋接問題,與銅相比電阻率較高。* z0 a- d8 }( ?0 L
9 Y }- g: R0 e+ i0 H
2. 混合鍵合:
2 a/ I2 V. @% ?1 o通過結(jié)合介電材料(SiO2)和嵌入金屬(Cu)創(chuàng)建永久互連。實(shí)現(xiàn)低于10微米(通常為個位數(shù)μm)的間距。優(yōu)勢:擴(kuò)展I/O,增加帶寬,增強(qiáng)3D垂直堆疊,提高功率效率,減少寄生效應(yīng)和熱阻。挑戰(zhàn):制造復(fù)雜性和較高成本。7 u! k" r& N4 O0 A8 G! L1 Q
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$ t* u2 E7 U) A應(yīng)用和市場影響
+ a2 g7 g2 m( ?) i先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)在多個關(guān)鍵市場中找到應(yīng)用:( P9 h. f- [+ _0 z8 h, j
1. 人工智能和數(shù)據(jù)中心:) x0 O: D3 W- W3 F1 j, a
推動對高性能計算解決方案的需求。需要能夠處理增加的功率和性能需求的封裝技術(shù)。% r' ^& `9 S+ r7 h% W
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2. 5G網(wǎng)絡(luò):
9 T! M V" U& N6 m' `+ B先進(jìn)封裝對5G無線電和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。實(shí)現(xiàn)更高頻率和增加帶寬。
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$ C+ _4 T3 U: s' ^2 m" @. i3 t8 X3. 自動駕駛汽車:5 |' C0 ]) z. ^# q. t
需要先進(jìn)封裝用于傳感器、處理器和通信系統(tǒng)。強(qiáng)調(diào)在惡劣環(huán)境中的可靠性和性能。
9 |2 O1 A: {5 c3 W8 e4 o1 U( _3 u% m- e0 y+ x- K. g
4. 消費(fèi)電子:! I; G) U/ t3 A& g& T; w
智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和AR/VR設(shè)備受益于更小的尺寸和更高的性能。先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)在緊湊設(shè)計中集成多種功能。
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# h8 P- k, b5 x/ Q未來展望( [# G: |' Q# R$ [+ y# Y) l r! d9 [5 J
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)將迎來顯著增長和創(chuàng)新。需要關(guān)注的主要趨勢包括:8 T: [+ ]- J6 d" d4 ?4 @" @/ }% ~
互連間距持續(xù)縮小,特別是混合鍵合技術(shù)。開發(fā)新材料和工藝以解決熱管理和功率效率挑戰(zhàn)。增加采用基于chiplet的設(shè)計和異構(gòu)集成。玻璃基中間層技術(shù)的成熟和潛在的廣泛采用。制造工藝的進(jìn)步,以降低成本和提高良率。
" l% q5 c9 W& ~9 o) s# y0 N
: f( R! {: e6 R! g: S1 P% O隨著對更強(qiáng)大、更高效電子設(shè)備需求的持續(xù)增長,先進(jìn)半導(dǎo)體封裝將在實(shí)現(xiàn)下一代技術(shù)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。從人工智能和5G到自動駕駛汽車及更多領(lǐng)域,這些封裝創(chuàng)新將成為日益互聯(lián)和智能世界的核心。7 `( a* z0 W$ f( x' x+ j' a ^
9 j+ m4 d4 e- b參考文獻(xiàn)
~3 x, h. C4 w1 w[1] IDTechEx, "Advanced Semiconductor Packaging 2024-2034: Forecasts, Technologies, Applications," IDTechEx, Jan. 11, 2024. [Online]. Available: https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=40634.
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o& G) Q% E C軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。- D2 b4 J7 C! V( w7 i( C+ l
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( g o- ]4 J6 d2 X0 v+ l5 k5 M. h# T深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。7 h' D, G, Q2 s2 B. I# t
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