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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)

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發(fā)表于 2024-8-15 07:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
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點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多& D5 j9 s% m) k3 {

9 a/ H8 P3 K9 C1 S4 X1 G9 f0 O$ k* ~
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET),簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。" Q; n6 u" ~2 P  \; K( v
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi),一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
8 k' m; N* [* \6 E
% F- ^4 H1 O! ]( k7 Y6 P6 D在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn),搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
4 q" w) D- s% H0 O, T1 Y/ c2 s ; |  ~+ U) a4 ?% v7 M! M

  q' H3 }6 Q  `$ |即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來(lái)的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué),沒(méi)錯(cuò),JFET相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少使用的,如果你問(wèn)百度,百度貌似也無(wú)法回答你這個(gè)問(wèn)題。9 x# k5 k. `. a8 n! L1 x5 o
' \* M3 i$ o6 h6 w& O' O
歡迎知道原因的朋友留言分享一下,為什么結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管比較少使用?* y2 h; I, d6 G
下面我們就跳過(guò)JFET,來(lái)點(diǎn)實(shí)際的,還是直接分享絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)吧。
3 o& _, N4 c: I+ m: g  y5 @絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。
6 d, E% [) F/ l4 G( T# _5 X' i# mMOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。3 N& \  g. ?0 F
N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS,P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS。
4 h" G0 u! G$ w' @2 u& |1 l+ { 3 D+ O7 {% s2 B: ^
▲ MOS管種類(lèi)
* p  W2 b& n* C% {, V/ G+ `MOS管共有3個(gè)腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,所以,你見(jiàn)到的MOS管的符號(hào)通常是畫(huà)成下面這樣的。- g3 R# q, d7 U# o% d5 A7 d
: y* A& h9 p/ a
▲ MOS管符號(hào)通常是畫(huà)成這樣的3 D* z- Y1 S: `
仔細(xì)觀察的朋友可以發(fā)現(xiàn),無(wú)論是N溝道還是P溝道,寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。4 _8 w3 O) d  w# v7 r; r7 n# {( d
其實(shí)在一般使用中,更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管,耗盡型的管子是比較少使用到的。% q8 n* {6 Q7 H# b1 l' j
那么,如何使用MOS管做電子開(kāi)關(guān)?比如用來(lái)驅(qū)動(dòng)LED?
) L+ H; o, j- A先來(lái)兩個(gè)圖。
5 t- l" w% B& k0 {
* r4 Q5 F" q, ~" i: Q6 H▲ MOS管做電子開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單應(yīng)用
  N$ C" q* a2 h* I- Y. i一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。2 H6 Z  n8 s9 [4 D
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,這里所說(shuō)的“一定值”是指開(kāi)啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V之間。& G: }4 P: ~  i: D

' F4 s% P! `9 \& f0 p7 h% O對(duì)于P溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V之間。0 L. ~4 J+ P+ q) l
3 c% I" ^& d4 }; ]  ?
如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無(wú)法導(dǎo)通,所以說(shuō)MOS管是電壓控制型元件。" ~3 r4 E. z9 D6 y9 @
可能會(huì)有朋友問(wèn),電路圖中的電阻Rgs有什么作用?- w0 R5 _4 p. t& J) m. v% W

* O0 J4 v7 \( n* O1 s是這樣的,在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個(gè)電容器。
) H, R: W- y: q3 w5 ?8 [% U - s3 e- T3 R: C& p  {- c
這些寄生電容是無(wú)法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。
+ K2 L9 F0 T" U: Y! {4 r6 j2 k( V- I- s如果上面的電路圖沒(méi)有電阻Rgs的,電路將會(huì)變成怎樣呢,下面以圖1為例,做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。
* ~1 ?' C  a' W) {7 X 1 S' H1 p- M6 N$ {* m; W. M0 K
沒(méi)有電阻Rgs時(shí),在G極接上5V控制信號(hào),相當(dāng)于給寄生電容Cgs進(jìn)行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。
+ U0 G- \! S/ F/ m- h  w1 d3 q; \ 3 j6 S- L  G6 ^2 f: F
當(dāng)有G、S兩極有電阻Rgs時(shí),當(dāng)G極撤去5V信號(hào),電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。
. j# R2 _) z6 O所以,上面電路加入電阻Rgs,可以對(duì)電容的電壓進(jìn)行及時(shí)的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒(méi)有控制信號(hào)時(shí)誤動(dòng)作。
- F1 ?8 p, y+ T- w% R1 W; ]+ gMOS管具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。MOS管相關(guān)的知識(shí)還有很多,以后再跟大家討論。+ S6 ~( b+ r6 f( J$ I

4 k1 ]) l* `. H1 Y+ u 0 `9 X  M( v$ J) P" L
聲明:/ P" U/ Y. I; N% S2 O
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