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. f/ N% [& d8 w點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多
( D! y9 O' F9 e, F6 g2 W( [, E+ B$ i ^: G6 M
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半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET),簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。& w. q# v: F$ w
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi),一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
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6 M" _' {$ y9 w- @在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn),搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。; I5 x2 l$ g- p/ E7 Z) K9 x
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3 b5 J8 ]& @" e8 v
; i0 Z7 A% }( H即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來(lái)的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué),沒(méi)錯(cuò),JFET相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較少使用的,如果你問(wèn)百度,百度貌似也無(wú)法回答你這個(gè)問(wèn)題。
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- n1 K+ D$ y$ l$ {. K$ ?歡迎知道原因的朋友留言分享一下,為什么結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管比較少使用?
5 E6 ?' n7 x5 {( t$ c% l6 o$ {% D. O下面我們就跳過(guò)JFET,來(lái)點(diǎn)實(shí)際的,還是直接分享絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)吧。3 s- q% R5 |) B( }9 P7 L
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。
% G# m& Q! x3 O- {! T( N( \5 aMOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
0 s0 K4 Y R1 m0 DN溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS,P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS。
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, d# B9 P8 E) v▲ MOS管種類(lèi)
! F9 ]/ Z5 M: }) w2 |MOS管共有3個(gè)腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,所以,你見(jiàn)到的MOS管的符號(hào)通常是畫(huà)成下面這樣的。
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' ^6 j5 \3 Q+ C4 q' N; r▲ MOS管符號(hào)通常是畫(huà)成這樣的
0 g5 A3 b% ~* ^) ?! B7 W仔細(xì)觀察的朋友可以發(fā)現(xiàn),無(wú)論是N溝道還是P溝道,寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。' U8 H- k% t+ y# h, W
其實(shí)在一般使用中,更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管,耗盡型的管子是比較少使用到的。
& N' y! Y3 d# X0 |. D# T那么,如何使用MOS管做電子開(kāi)關(guān)?比如用來(lái)驅(qū)動(dòng)LED?+ \& ^/ d, L# B
先來(lái)兩個(gè)圖。
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: y! E' F7 |6 N▲ MOS管做電子開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單應(yīng)用" a2 G8 [% }: O
一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。
3 m8 r% a, j1 b8 P6 B# P# w- S對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,這里所說(shuō)的“一定值”是指開(kāi)啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V之間。
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對(duì)于P溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V之間。& `4 r, P4 m- [4 V! c1 _( Q
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如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無(wú)法導(dǎo)通,所以說(shuō)MOS管是電壓控制型元件。
$ B! }- f+ ?+ m! x7 t, T# r* K可能會(huì)有朋友問(wèn),電路圖中的電阻Rgs有什么作用?
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是這樣的,在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個(gè)電容器。0 n/ I* r$ k, G' u( v
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7 B' X& r# C5 Y9 L, F這些寄生電容是無(wú)法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。$ A$ w3 X6 W# b9 b
如果上面的電路圖沒(méi)有電阻Rgs的,電路將會(huì)變成怎樣呢,下面以圖1為例,做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。" \9 c; D# w; V. f6 s1 ]
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沒(méi)有電阻Rgs時(shí),在G極接上5V控制信號(hào),相當(dāng)于給寄生電容Cgs進(jìn)行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。- d& w: a' {6 Z' s3 C3 l/ k- d
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當(dāng)有G、S兩極有電阻Rgs時(shí),當(dāng)G極撤去5V信號(hào),電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。7 i% X( ]: I9 a6 O
所以,上面電路加入電阻Rgs,可以對(duì)電容的電壓進(jìn)行及時(shí)的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒(méi)有控制信號(hào)時(shí)誤動(dòng)作。, ^4 ~6 a. N9 u8 A' F
MOS管具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。MOS管相關(guān)的知識(shí)還有很多,以后再跟大家討論。
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+ t: {$ [. Z/ @* l/ U! m/ w聲明:* v5 ?7 V2 Q) f- _( j$ n6 ^
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