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AMEYA360:ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET

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發(fā)表于 2024-8-7 11:30:45 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始**,未來會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。
  在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中,尤其是在對于車載開關(guān)應(yīng)用不可或缺的MOSFET市場,對導(dǎo)通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。
  ROHM一直在為消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域**采用中等耐壓新工藝的低導(dǎo)通電阻MOSFET。此次通過將這種新工藝應(yīng)用于對可靠性要求高的車載產(chǎn)品,又開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻優(yōu)勢的10款車載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品,還有傳統(tǒng)的TO-252封裝產(chǎn)品,未來將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容并持續(xù)供應(yīng)。
  新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過采用split gate*3實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號的新產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,并確保高可靠性。
  封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和Hsmt8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等安裝面積較小的應(yīng)用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應(yīng)用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)*4,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)*5,安裝可靠性都非常高。
  目前,新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬個(gè)(10種型號合計(jì))的規(guī)模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個(gè),不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行**,通過Ameya360電商平臺(tái)可購買。
  未來,ROHM將致力于擴(kuò)大車載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計(jì)劃于2024年10月開始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品,于2025年開始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計(jì)劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,為車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化貢獻(xiàn)力量。
  <產(chǎn)品陣容>
  <應(yīng)用示例>
  • 各種車載電機(jī)(汽車門鎖、座椅調(diào)節(jié)器、電動(dòng)車窗等)
  • LED前照燈
  • 信息**系統(tǒng)、車載顯示器
  • 高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)

  <電商**信息>
  電商平臺(tái):Ameya360
  (開始**時(shí)間:2024年6月)
  <術(shù)語解說>
  01. 導(dǎo)通電阻(Ron)
  MOSFET啟動(dòng)(ON)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運(yùn)行時(shí)的損耗(電力損耗)越少。
  02. Nch MOSFET
  通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎。
  03. split gate
  一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調(diào)整電子流動(dòng)的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高速且高可靠性的運(yùn)行。
  04. 可潤濕側(cè)翼(Wettable Flank)成型技術(shù)
  一種在底部電極封裝的引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍**的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。
  05. 鷗翼型結(jié)構(gòu)
  引腳從封裝兩側(cè)向外伸出的封裝形狀。散熱性優(yōu)異,可提高安裝可靠性。

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