本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-4 11:28 編輯
- r% ?3 @9 W, w! O/ R+ b. F& Y0 D0 J9 `0 s$ E1 ?
SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）
5 U: L- Z% X$ s9 ~, I+ S6 M引腳定義如下：
' z- B* W. f3 ]3 ]- p+ m; q9 ~- ]% V- F/ ?/ [# P1 C
- j: g" L- M5 m2 P" y5 k布局：
5 `. h h& w/ a& F9 e) v原則——靠近主控（CPU）放置, ]! P" a5 t+ G# i& n$ a; V
當(dāng)只有1片SDRAM存在時(shí)，采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，SDRAM到CPU推薦的中心距離：900-1000mil% v3 l) f! k. D$ }
5 y/ G% ?* B; }5 Q1 V) J# z
$ q2 v$ h3 F3 N# _6 _* _, K7 J: ~
6 C& ]( v. q/ C+ s$ A- v2 U8 A* I6 f- q3 t, S8 H& v1 q( D
當(dāng)有2片SDRAM存在時(shí)，相對(duì)于CPU嚴(yán)格對(duì)稱(chēng)0 P( D3 R7 E R
" S. ]1 u2 n2 b+ j
8 O6 o% c# @* @; l0 c
( ^3 Q0 y6 l8 n$ ~' Q3 z: F1 C
* ~" l0 U* N' o X. G7 z# c布線(xiàn)要求：, W: L# O8 a. q" K5 d, Z# x
1.特性阻抗:50歐
* g! Z/ u$ P9 y0 c8 E2.數(shù)據(jù)線(xiàn)每9根盡量走在同一層(D0~D7,LDQM;D8~D15,HDQM)
3 R- ^9 B, x$ r m1 x3. 信號(hào)線(xiàn)的間距滿(mǎn)足3W原則
* V# z( {- N& t8 Y- {& W1 v4 `4. 數(shù)據(jù)線(xiàn)、地址（控制）線(xiàn)、時(shí)鐘線(xiàn)之間的距離保持20mil以上或至少3W
0 C9 h7 h8 d6 u6 w6 u" V6 Q: e4 l5. 空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線(xiàn)之間加一根地線(xiàn)進(jìn)行隔離。地線(xiàn)寬度0 L( Q" T: |( Z
推薦為15-30mil2 m# C6 a1 H; s; T% N+ K& q. D
6. 完整的參考平面
' z" `$ r9 E; }' U d: R8 g( F/ l) R
8 M s* x! ^. x0 X H, S1 ~
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L/ t& i* D' Q7 Q- u8 x( N6 v) p9 z1 j! A1 x4 z0 ~2 f
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6 Y3 z; V0 B: X+ R7 g: L- S+ ?* l | 
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