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1、晶體請采用π型濾波方式& O, O: Z0 k0 D% Z U3 p
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布局要求： 1、布局整體緊湊，一般放置在主控的同一側，靠近主控IC。 2、布局是盡量使電容分支要短（目的：減小寄生電容，） 3、晶振電路一般采用π型濾波形式，放置在晶振的前面。 ! c1 }6 f2 X: l+ n' R
布線要求： 1）走線采取類差分走線； 2）晶體走線需加粗處理：8-12mil，晶振按照普通單端阻抗線走線即可； 3）對信號采取包地處理，每隔50mil放置一個屏蔽地過孔。 4）晶體晶振本體下方所有層原則上不準許走線，特別是關鍵信號線。（晶體晶振為干擾源）。 5）不準許出現(xiàn)stub線頭，防止天線效應，出現(xiàn)額外的干擾。 8、繼電器為干擾源，請對本體下面的所有層都進行挖空處理，并且走線進行加粗處理。
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