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發(fā)表于 2024-8-15 07:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式

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9 J% g2 B+ F+ ]9 {( G- J6 U1 l" V半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。. e8 l1 s8 m& u+ W  l/ |+ R
場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。0 e0 Z$ A  S' I; O4 q7 f& n
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在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。
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即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFET相對來說是比較少使用的,如果你問百度,百度貌似也無法回答你這個問題。
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; l8 J( {+ D! V2 z* w- B0 k& f歡迎知道原因的朋友留言分享一下,為什么結(jié)型場效應(yīng)管比較少使用?+ S4 h2 ?1 k% `8 S; I
下面我們就跳過JFET,來點(diǎn)實際的,還是直接分享絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識吧。  U  ~; c- @; a" ?* n
絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為MOS管。) j7 y9 A/ E  D
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
. Y2 \9 Y$ \, _! D3 P/ |& A- j5 R1 ?N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS,P溝道的MOS管簡稱為PMOS。
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▲ MOS管種類/ C  [$ `- Z0 x# t7 m& {; u* B
MOS管共有3個腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會有一個寄生二極管,所以,你見到的MOS管的符號通常是畫成下面這樣的。8 o4 p, @# L0 B  w* g& Q6 j% q
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▲ MOS管符號通常是畫成這樣的
" K+ P( d$ D) D$ J/ c$ }仔細(xì)觀察的朋友可以發(fā)現(xiàn),無論是N溝道還是P溝道,寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。  ?3 S, c( y* C, z8 U0 e
其實在一般使用中,更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管,耗盡型的管子是比較少使用到的。3 C0 ~7 t6 V, m, ~0 ^
那么,如何使用MOS管做電子開關(guān)?比如用來驅(qū)動LED?7 B* {6 `) R1 H6 h' ]" F# G1 Y: [
先來兩個圖。+ Z. ], V9 v1 ^; X  \. r/ V
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▲ MOS管做電子開關(guān)的簡單應(yīng)用
" H& R; S. x) Y. G; o8 j+ n一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。
7 q3 J2 |/ ?; q% H' b對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時就會導(dǎo)通,這里所說的“一定值”是指開啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V之間。
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對于P溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時就會導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V之間。2 \7 y: u6 f7 p: p/ e6 F, p0 {# \

! p/ c' X! R' `: H如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無法導(dǎo)通,所以說MOS管是電壓控制型元件。
0 T/ p9 |4 }3 l2 z& P可能會有朋友問,電路圖中的電阻Rgs有什么作用?
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! w- k, P: ?' Y$ h4 J1 }) q$ e是這樣的,在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個電容器。
7 e, ?" @+ k( D; R2 r( |$ }1 T * c" Z! Q- Y( u& i1 P4 V
這些寄生電容是無法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。
! Q0 b, p" ]5 l5 v; O如果上面的電路圖沒有電阻Rgs的,電路將會變成怎樣呢,下面以圖1為例,做個小實驗。
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沒有電阻Rgs時,在G極接上5V控制信號,相當(dāng)于給寄生電容Cgs進(jìn)行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。
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當(dāng)有G、S兩極有電阻Rgs時,當(dāng)G極撤去5V信號,電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。
6 T! U+ U4 {6 a" j1 I, C所以,上面電路加入電阻Rgs,可以對電容的電壓進(jìn)行及時的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒有控制信號時誤動作。, _& c, n9 D; e2 M, [5 M5 ^; a5 M
MOS管具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。MOS管相關(guān)的知識還有很多,以后再跟大家討論。, w7 K1 Y5 M! m3 f' ?( G9 q

( T1 m. j2 B( l* M; q& r & V! k( k+ W0 i" W5 k% a* F
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