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現(xiàn)代半導體先進封裝技術

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先進封裝簡介
" W+ t4 G$ i$ I先進封裝技術已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢[1]。) r; d0 n' H) ?
! M; x7 J- P0 ?' E& X1 H3 B1 y8 ]
圖1展示了硅通孔(TSV)技術的示意圖和實物照片,顯示了垂直互聯(lián)結構。
  T& ~- ~1 a" T; Y
7 G/ d0 a+ M( M  `6 zXY平面和Z軸延伸的關鍵技術  b/ a# w9 L" F$ R$ d. U
現(xiàn)代先進封裝可分為兩種主要方式:XY平面延伸Z軸延伸。XY平面延伸主要利用重布線層(RDL)技術進行信號布線,而Z軸延伸則采用硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直連接。
( D, b% b' h+ h) a6 E" }) C
( {. L6 p7 d  F# p( T- Y圖2展示了扇入和扇出重布線的示意圖,說明了重新分布芯片連接的不同方法。) N3 a/ K, L9 i+ z
0 E+ l7 L- p, C: e& Q: |
扇出技術及演進
/ B1 i$ X5 Z1 U' }8 `- s扇出晶圓級封裝(FOWLP)是先進封裝的重要發(fā)展之一。該技術將重布線層擴展到芯片區(qū)域之外,在保持緊湊外形的同時增加輸入/輸出連接數(shù)量。該技術已發(fā)展出集成扇出(InFO)面板級扇出封裝(FOPLP)等變體。
9 p9 K- o9 ?0 ^3 r& C$ @ * C' u; s2 k( N4 M) B5 l
圖3對比了FIWLP、FOWLP和InFO技術,展示其結構差異和演進過程。
" U' t% V* Y+ V+ t( {& [; G) r% s
% P0 |3 q; C' ~& Y8 UTSV集成與實現(xiàn)4 P+ D) b2 s% f" k+ ]6 P
TSV技術實現(xiàn)了先進封裝中的真正3D集成。TSV可以采用3D或2.5D配置實現(xiàn),每種方法都具有不同應用場景的優(yōu)勢。- _3 i% F# t, D' H- e

8 D8 s; a: T& t5 L3 i. F+ e圖4展示了3D TSV和2.5D TSV的示意圖,說明這兩種方法的根本區(qū)別。1 @& p/ _8 a8 E/ l; {

$ M7 t1 }2 _! }& ~$ s: {" h/ k行業(yè)領導者及解決方案" A, [/ z8 v5 F, S5 H0 W
主要半導體公司都開發(fā)了自己的先進封裝技術。臺積電的晶圓級芯片堆疊(CoWoS)技術在高性能計算應用中得到廣泛應用。
0 _0 U; e- F) s! {' z# [ % L1 l4 B4 p4 `8 r/ i
圖5顯示了CoWoS結構示意圖,展示了芯片在硅中介層和基板上的集成方式。6 @' {! A+ h% ~+ P8 M) b) o4 R
$ M! f% f: h: t# R1 [
先進內存集成
. P) A7 G4 w1 M* y1 I- U高帶寬內存(HBM)是先進封裝領域的重要突破,特別適用于圖形處理和高性能計算應用。HBM將3D堆疊與高速接口相結合,實現(xiàn)了極高的內存帶寬。
/ g2 y$ E+ ]; R8 u3 w
8 d* H9 o0 Z' H( W! I圖6展示了HBM技術示意圖和實物剖面,顯示了堆疊內存結構和互連方式。
) p( g+ h1 c+ @9 @7 q; z5 V% A' ~# e
. X& O( p  b' O2 r) G: b) t英特爾的先進封裝方案$ k% [8 O# d3 I+ ]
英特爾推出了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)Foveros等創(chuàng)新技術。這些方法提供了實現(xiàn)高密度集成的不同途徑。
; o: b! }$ @9 c( o6 d & {7 t! ^$ K8 Y: f4 H
圖7對比了EMIB、Foveros和CO-EMIB的技術示意圖和產品剖面,展示了英特爾各種先進封裝解決方案。+ E2 @( m# S3 S
" A- ^' Z6 H, f, X7 Z2 V
先進封裝的基本要素9 t' w* P1 d0 d6 H1 P" j
先進封裝的基礎建立在四個關鍵要素之上:RDL、TSV、凸點和晶圓。這些要素共同支持各種集成方法和技術。1 Q7 v) S2 E& }: A
8 A( I- B, c- l
圖8展示了先進封裝的四個要素:RDL、TSV、凸點和晶圓,說明各要素間的相互關系。3 v7 E) `& q! i$ w# t

" Y& p  P% ^+ G  ~2 \: N4 u技術趨勢與演進
& ]# h3 @' T" @. p" g隨著技術進步,這些要素出現(xiàn)了新的發(fā)展趨勢,特別是凸點技術逐漸向更細間距發(fā)展,在硅對硅接口中可能最終被淘汰。7 J. {) P. Y" d9 ?
, p: `! j- m. r7 T7 E6 c8 \- G% o: q
圖9顯示了凸點技術的發(fā)展趨勢,描述了向更細間距演進并最終在硅接口中消失的過程。
7 F0 f( a' x+ s) ?; }1 f2 T( @5 X( \
先進封裝與SiP的關系
- S. g' R( b& {3 m  ?! `0 j先進封裝與系統(tǒng)級封裝(SiP)的關系復雜,既有重疊又有區(qū)別。雖然所有先進封裝解決方案都旨在提高系統(tǒng)密度和性能,但采用的方法和技術可能不同。- _' f5 m3 Q, n+ t6 e6 p) H
& T7 x0 P$ Q. b" u
圖10描述了HDAP和SiP的關系,展示重疊區(qū)域和獨特特征。
7 T2 O4 x6 T+ p% B) v$ _) o, G9 }+ S8 F$ n( ]1 O: H2 {
未來展望與行業(yè)影響
6 ?- a! z7 s& J3 m6 @& d先進封裝技術持續(xù)發(fā)展,新技術不斷涌現(xiàn),以滿足現(xiàn)代電子產品日益增長的需求。從移動設備到高性能計算,先進封裝在推動下一代電子系統(tǒng)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。
  T, t$ x0 u1 c$ i- a: f$ Z' H# P1 a  L- [" ]
近年來,行業(yè)出現(xiàn)了許多重要創(chuàng)新,如臺積電的SoIC和三星的X-Cube等技術,推動了先進封裝技術的發(fā)展。這些進展表明,先進封裝將繼續(xù)推動半導體創(chuàng)新,提供提升系統(tǒng)性能、降低功耗的新方法。
4 G2 q2 v. B8 z' X% c
/ ]3 F" Z# }$ j/ V4 R7 t0 L2 f0 l先進封裝代表了半導體技術從傳統(tǒng)的"重外部"封裝轉向"重內部"集成。轉變促進了芯片設計團隊和封裝團隊的緊密合作,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)提供了更優(yōu)化、更高效的解決方案。3 l4 Q9 D/ G7 O8 k, g( }
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參考文獻
* ]& N& t5 b) Z[1] S. Li, "SiP and Advanced Packaging Technology," in MicroSystem Based on SiP Technology. Beijing, China: Publishing House of Electronics Industry, 2022, ch. 5, pp. 117-154.
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