|
先進封裝簡介
" W+ t4 G$ i$ I先進封裝技術已成為半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術手段。本文探討先進封裝的核心概念、技術和發(fā)展趨勢[1]。) r; d0 n' H) ?
oj3w1dwxkdy6404962723.png (398.53 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
oj3w1dwxkdy6404962723.png
3 天前 上傳
! M; x7 J- P0 ?' E& X1 H3 B1 y8 ]
圖1展示了硅通孔(TSV)技術的示意圖和實物照片,顯示了垂直互聯(lián)結構。
T& ~- ~1 a" T; Y
7 G/ d0 a+ M( M `6 zXY平面和Z軸延伸的關鍵技術 b/ a# w9 L" F$ R$ d. U
現(xiàn)代先進封裝可分為兩種主要方式:XY平面延伸和Z軸延伸。XY平面延伸主要利用重布線層(RDL)技術進行信號布線,而Z軸延伸則采用硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)垂直連接。
( D, b% b' h+ h) a6 E" }) C
e2gcrovdeiu6404962823.png (94.13 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
e2gcrovdeiu6404962823.png
3 天前 上傳
( {. L6 p7 d F# p( T- Y圖2展示了扇入和扇出重布線的示意圖,說明了重新分布芯片連接的不同方法。) N3 a/ K, L9 i+ z
0 E+ l7 L- p, C: e& Q: |
扇出技術及演進
/ B1 i$ X5 Z1 U' }8 `- s扇出晶圓級封裝(FOWLP)是先進封裝的重要發(fā)展之一。該技術將重布線層擴展到芯片區(qū)域之外,在保持緊湊外形的同時增加輸入/輸出連接數(shù)量。該技術已發(fā)展出集成扇出(InFO)和面板級扇出封裝(FOPLP)等變體。
9 p9 K- o9 ?0 ^3 r& C$ @
p5chjsgs45q6404962923.png (128.9 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
p5chjsgs45q6404962923.png
3 天前 上傳
* C' u; s2 k( N4 M) B5 l
圖3對比了FIWLP、FOWLP和InFO技術,展示其結構差異和演進過程。
" U' t% V* Y+ V+ t( {& [; G) r% s
% P0 |3 q; C' ~& Y8 UTSV集成與實現(xiàn)4 P+ D) b2 s% f" k+ ]6 P
TSV技術實現(xiàn)了先進封裝中的真正3D集成。TSV可以采用3D或2.5D配置實現(xiàn),每種方法都具有不同應用場景的優(yōu)勢。- _3 i% F# t, D' H- e
hznh3qgxieo6404963023.png (185.29 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
hznh3qgxieo6404963023.png
3 天前 上傳
8 D8 s; a: T& t5 L3 i. F+ e圖4展示了3D TSV和2.5D TSV的示意圖,說明這兩種方法的根本區(qū)別。1 @& p/ _8 a8 E/ l; {
$ M7 t1 }2 _! }& ~$ s: {" h/ k行業(yè)領導者及解決方案" A, [/ z8 v5 F, S5 H0 W
主要半導體公司都開發(fā)了自己的先進封裝技術。臺積電的晶圓級芯片堆疊(CoWoS)技術在高性能計算應用中得到廣泛應用。
0 _0 U; e- F) s! {' z# [
0yjialbf4ip6404963123.png (143.9 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
0yjialbf4ip6404963123.png
3 天前 上傳
% L1 l4 B4 p4 `8 r/ i
圖5顯示了CoWoS結構示意圖,展示了芯片在硅中介層和基板上的集成方式。6 @' {! A+ h% ~+ P8 M) b) o4 R
$ M! f% f: h: t# R1 [
先進內存集成
. P) A7 G4 w1 M* y1 I- U高帶寬內存(HBM)是先進封裝領域的重要突破,特別適用于圖形處理和高性能計算應用。HBM將3D堆疊與高速接口相結合,實現(xiàn)了極高的內存帶寬。
/ g2 y$ E+ ]; R8 u3 w
eeaffk1b5ql6404963224.png (480.95 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
eeaffk1b5ql6404963224.png
3 天前 上傳
8 d* H9 o0 Z' H( W! I圖6展示了HBM技術示意圖和實物剖面,顯示了堆疊內存結構和互連方式。
) p( g+ h1 c+ @9 @7 q; z5 V% A' ~# e
. X& O( p b' O2 r) G: b) t英特爾的先進封裝方案$ k% [8 O# d3 I+ ]
英特爾推出了嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)和Foveros等創(chuàng)新技術。這些方法提供了實現(xiàn)高密度集成的不同途徑。
; o: b! }$ @9 c( o6 d
jzh0k0quyqu6404963324.png (331.82 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
jzh0k0quyqu6404963324.png
3 天前 上傳
& {7 t! ^$ K8 Y: f4 H
圖7對比了EMIB、Foveros和CO-EMIB的技術示意圖和產品剖面,展示了英特爾各種先進封裝解決方案。+ E2 @( m# S3 S
" A- ^' Z6 H, f, X7 Z2 V
先進封裝的基本要素9 t' w* P1 d0 d6 H1 P" j
先進封裝的基礎建立在四個關鍵要素之上:RDL、TSV、凸點和晶圓。這些要素共同支持各種集成方法和技術。1 Q7 v) S2 E& }: A
0b5ojqooofa6404963424.png (162.12 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
0b5ojqooofa6404963424.png
3 天前 上傳
8 A( I- B, c- l
圖8展示了先進封裝的四個要素:RDL、TSV、凸點和晶圓,說明各要素間的相互關系。3 v7 E) `& q! i$ w# t
" Y& p P% ^+ G ~2 \: N4 u技術趨勢與演進
& ]# h3 @' T" @. p" g隨著技術進步,這些要素出現(xiàn)了新的發(fā)展趨勢,特別是凸點技術逐漸向更細間距發(fā)展,在硅對硅接口中可能最終被淘汰。7 J. {) P. Y" d9 ?
1hpojehppsw6404963524.png (129.94 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
1hpojehppsw6404963524.png
3 天前 上傳
, p: `! j- m. r7 T7 E6 c8 \- G% o: q
圖9顯示了凸點技術的發(fā)展趨勢,描述了向更細間距演進并最終在硅接口中消失的過程。
7 F0 f( a' x+ s) ?; }1 f2 T( @5 X( \
先進封裝與SiP的關系
- S. g' R( b& {3 m ?! `0 j先進封裝與系統(tǒng)級封裝(SiP)的關系復雜,既有重疊又有區(qū)別。雖然所有先進封裝解決方案都旨在提高系統(tǒng)密度和性能,但采用的方法和技術可能不同。- _' f5 m3 Q, n+ t6 e6 p) H
1qoq210oox06404963625.png (191.22 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
1qoq210oox06404963625.png
3 天前 上傳
& T7 x0 P$ Q. b" u
圖10描述了HDAP和SiP的關系,展示重疊區(qū)域和獨特特征。
7 T2 O4 x6 T+ p% B) v$ _) o, G9 }+ S8 F$ n( ]1 O: H2 {
未來展望與行業(yè)影響
6 ?- a! z7 s& J3 m6 @& d先進封裝技術持續(xù)發(fā)展,新技術不斷涌現(xiàn),以滿足現(xiàn)代電子產品日益增長的需求。從移動設備到高性能計算,先進封裝在推動下一代電子系統(tǒng)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。
T, t$ x0 u1 c$ i- a: f$ Z' H# P1 a L- [" ]
近年來,行業(yè)出現(xiàn)了許多重要創(chuàng)新,如臺積電的SoIC和三星的X-Cube等技術,推動了先進封裝技術的發(fā)展。這些進展表明,先進封裝將繼續(xù)推動半導體創(chuàng)新,提供提升系統(tǒng)性能、降低功耗的新方法。
4 G2 q2 v. B8 z' X% c
/ ]3 F" Z# }$ j/ V4 R7 t0 L2 f0 l先進封裝代表了半導體技術從傳統(tǒng)的"重外部"封裝轉向"重內部"集成。轉變促進了芯片設計團隊和封裝團隊的緊密合作,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)提供了更優(yōu)化、更高效的解決方案。3 l4 Q9 D/ G7 O8 k, g( }
) q, D9 `6 Y2 t/ a% Z) T6 u- P
參考文獻
* ]& N& t5 b) Z[1] S. Li, "SiP and Advanced Packaging Technology," in MicroSystem Based on SiP Technology. Beijing, China: Publishing House of Electronics Industry, 2022, ch. 5, pp. 117-154.
% T/ }# M6 B$ u
$ \* e6 {$ K, L, rEND
* z& m7 J; b2 H7 B S
2 Y5 O5 s% |4 y3 Z
" K# ^, z7 ^3 E- \/ b7 Y軟件申請我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請體驗免費版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應用,PIC Studio都可提升您的工作效能。3 d/ t% H/ a9 L/ {: T. i
點擊左下角"閱讀原文"馬上申請" ]) X# \1 i/ \& V3 C3 C- D- L
5 L( U" J4 T$ M2 ~# G% a
歡迎轉載0 t& i) J$ l! ^2 N( ^: K& G
* n# e. V9 d" l" T; B
轉載請注明出處,請勿修改內容和刪除作者信息!
1 q1 m: q" H. l% l
3 @' w) J" S: m7 ?" w0 n5 r
0 L% x3 ~ e7 S5 V& @% ?# H/ n" c* {
1cgdjjhoarb6404963725.gif (16.04 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
1cgdjjhoarb6404963725.gif
3 天前 上傳
$ z/ y8 V7 A- L' _# n
0 V7 G0 B: k) M8 [! u2 G7 j* I9 p關注我們
- z7 X: p# v% L' r7 F6 d6 I$ A4 ~$ Y. ]: _& \
) v: v4 C/ S! E
vuh1is3ofxh6404963825.png (31.33 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
vuh1is3ofxh6404963825.png
3 天前 上傳
* v7 r/ K5 J) c' K) W# f1 I4 A
| / A- \' ^$ `1 H4 P8 [
20hsiak2eaq6404963925.png (82.79 KB, 下載次數(shù): 0)
下載附件
保存到相冊
20hsiak2eaq6404963925.png
3 天前 上傳
, P0 M0 o( B3 M V' e! y) ~- K
|
$ {) i( U1 Y* y! ?* E
hx2icwnhx3o6404964025.png (21.52 KB, 下載次數(shù): 1)
下載附件
保存到相冊
hx2icwnhx3o6404964025.png
3 天前 上傳
' b8 @, l0 u: S2 Y* q! I | i( K6 U4 w' K. l# H9 J
8 ?$ B( h: [0 s3 o1 \! V
# {4 U3 E0 G: A# H& k! x
9 e; W4 F7 ]8 ^' `關于我們:& W' e* F3 w4 V+ R% u
深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導體芯片設計自動化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設計和仿真軟件,提供成熟的設計解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對光電芯片、微機電系統(tǒng)、超透鏡的設計與仿真。我們提供特色工藝的半導體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務,廣泛服務于光通訊、光計算、光量子通信和微納光子器件領域的頭部客戶。逍遙科技與國內外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動特色工藝半導體產業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術與服務。8 S# Q$ r8 y. G6 Y# O# \
$ O* v+ K. h0 W( j Z/ m# H' Z
http://www.latitudeda.com/
4 X+ B/ H# k- Y' `! n" c(點擊上方名片關注我們,發(fā)現(xiàn)更多精彩內容) |
|