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Nanophotonics | 半導(dǎo)體芯光纖:非線性光電子技術(shù)的新平臺

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引言半導(dǎo)體芯光纖正在成為非線性光電子應(yīng)用的新平臺。通過將半導(dǎo)體的緊密光束限制和高非線性折射率與光纖的靈活性和穩(wěn)健性相結(jié)合,這些混合結(jié)構(gòu)為寬波長范圍內(nèi)的非線性光學(xué)處理開辟了新的可能性。本文將概述半導(dǎo)體芯光纖的制造、表征和應(yīng)用,重點關(guān)注非線性光電子技術(shù)的應(yīng)用。8 f3 C& _# g* P
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制造方法
* [6 R+ |4 m& j+ Q+ Q制造半導(dǎo)體芯光纖的主要方法是熔芯拉絲技術(shù)(MCD)。在這個過程中,將半導(dǎo)體材料放置在玻璃管預(yù)制件內(nèi),然后使用傳統(tǒng)的光纖拉絲塔加熱并拉成光纖。當預(yù)制件被加熱時,半導(dǎo)體芯熔化,而玻璃包層變得粘稠,使兩種材料能夠被共同拉制成光纖幾何結(jié)構(gòu)。
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3 {2 g& t+ \- `" R% _+ \6 Z圖1:制造半導(dǎo)體芯光纖的熔芯拉絲方法示意圖。
3 p' g7 C' G, B" ~' h0 n- R, \; T5 q  ^  u
MCD技術(shù)允許大規(guī)模生產(chǎn)長度的半導(dǎo)體芯光纖。然而,高拉絲溫度可能導(dǎo)致一些挑戰(zhàn),包括包層材料向芯擴散和形成多晶芯。為解決這些問題,開發(fā)了各種后處理技術(shù)。
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后處理技術(shù)使用兩種關(guān)鍵的后處理方法來改善已拉制半導(dǎo)體芯光纖的質(zhì)量并調(diào)整其性能:3 X3 n. w. p6 i. ?7 D0 S
激光處理:使用聚焦激光束局部加熱、熔化和重結(jié)晶半導(dǎo)體芯。這可以改善結(jié)晶度,減少缺陷,并允許對芯的性能進行空間變化的修改。
- C4 A, p' r' g8 [* z錐化:局部加熱并拉伸光纖以減小其直徑。這允許精確控制芯的尺寸,并可以顯著改變光學(xué)性能。
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這些后處理技術(shù)對于減少傳輸損耗和調(diào)整半導(dǎo)體芯光纖的色散性能以用于非線性應(yīng)用非常重要。9 Y) v. y. _7 t5 J. n; S
6 C& Y1 ^) O8 L3 e' t

1 [4 a3 e  f: O! g  g$ ]圖2:后處理技術(shù)示意圖:(左)激光處理和(右)半導(dǎo)體芯光纖的錐化。
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這些后處理技術(shù)對于減少傳輸損耗和調(diào)整半導(dǎo)體芯光纖的色散性能以用于非線性應(yīng)用非常重要。8 ^" W  H# \/ M7 t% d& H/ @
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光學(xué)表征半導(dǎo)體芯光纖的光學(xué)性能強烈依賴于芯材料、尺寸和處理。硅芯光纖已經(jīng)被廣泛研究,通過仔細的錐化處理,在電信波長下實現(xiàn)了低至0.8 dB/cm的損耗。. Y( W. Y8 D' M8 v

2 V+ b, S1 E3 n' E7 Z: p  B通過控制芯直徑可以調(diào)整色散性能。圖3顯示了硅芯光纖的群速度色散和有效模場面積如何隨芯尺寸變化。
4 E6 b0 S7 a) d% O, E0 T; q3 Y! f
& e2 S8 j! X$ s6 ~3 d; H8 w; }7 O圖3:硅芯光纖的群速度色散(GVD)和有效模場面積(Aeff)隨芯直徑的變化。3 h: i9 Q8 f, N8 r

+ b* m! m5 p# g) Y非線性光學(xué)應(yīng)用半導(dǎo)體芯光纖的高非線性和可調(diào)色散使其適用于各種非線性光學(xué)應(yīng)用:
9 ~5 x1 S* v. O. ^四波混頻(FWM):在硅芯光纖中已經(jīng)演示了FWM用于參量放大和波長轉(zhuǎn)換。使用僅0.63 mW平均泵浦功率在電信波段實現(xiàn)了9 dB的凈參量增益。
6 v- f/ e6 P- e+ Y: B, u8 ?' P拉曼散射:在硅芯光纖中觀察到了受激拉曼散射,使用2 μm泵浦在中紅外區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了高達3.7 dB的增益。8 c, [2 y. P+ o. H, J0 s
超連續(xù)譜生成:在錐化的硅芯光纖中,使用3 μm泵浦生成了跨度從1.6到5.3 μm的寬廣超連續(xù)譜。0 c% n9 o' T7 g- y' n, q- \
二次諧波生成:雖然大多數(shù)工作集中在硅上,但ZnSe芯光纖已被用于演示二次諧波生成,用于電信信號的倍頻。
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圖4:半導(dǎo)體芯光纖中演示的非線性應(yīng)用示例:(a) 四波混頻,(b) 拉曼散射,(c) 超連續(xù)譜生成,和 (d) 二次諧波生成。
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未來展望
" D' N, o+ \( h3 H在開發(fā)用于非線性光電子技術(shù)的半導(dǎo)體芯光纖方面取得了重大進展,但仍有幾個未來發(fā)展的領(lǐng)域:
  • 新材料:超越硅,擴展到其他半導(dǎo)體如GaAs或ZnSe可能實現(xiàn)新功能,特別是對于二階非線性效應(yīng)。
  • 改進制造:進一步減少損耗并提高結(jié)晶質(zhì)量將增強非線性應(yīng)用的性能。
  • 集成:開發(fā)與標準光纖的穩(wěn)健耦合方法對于半導(dǎo)體芯光纖器件的實際部署非常必要。
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    ) [" X0 [' g! q$ `
    圖5:半導(dǎo)體芯光纖與標準單模光纖(SMF)集成的概念,用于實際器件實現(xiàn)。
    9 O  V5 c9 R( K9 w; m  [5 e' g/ X* u8 U  {, p
    結(jié)論
    0 e0 u" ]4 t3 E) ^+ ]半導(dǎo)體芯光纖代表了值得期待的新平臺,結(jié)合了半導(dǎo)體的高非線性和光纖的靈活性。通過制造和后處理技術(shù)的進步,這些光纖正在成為一項可行的技術(shù),用于跨越近紅外到中紅外的非線性光電子應(yīng)用。隨著制造方法的改進和新材料的探索,半導(dǎo)體芯光纖有望實現(xiàn)新型非線性光學(xué)器件和系統(tǒng),彌合傳統(tǒng)光纖和光電子集成線路之間的差距。
    8 r/ M) V& V0 k  e# a! l% c  W, @, ?2 a$ H
    參考文獻  u5 c9 I. V+ a5 n, s
    [1] M. Huang, J. Ballato, and A. C. Peacock, "Semiconductor core fibres: a scalable platform for nonlinear photonics," npj Nanophotonics, vol. 1, no. 21, pp. 1-12, 2024, doi: 10.1038/s44310-024-00026-5.( n+ H. C& p3 O2 t6 G6 ]7 X4 O* q

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