本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-4 11:28 編輯 " X( i4 h% S6 `6 O/ F0 |
3 r' }9 l% I8 i# W$ P& ^3 Q1 m% I+ VSDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）
+ X0 i; y: F" k/ e* @* Q引腳定義如下：
0 H5 _, g$ [5 o# r P) p3 ^$ ^* t1 d% J" s. E+ G0 C6 R, ^7 M+ [
; Q7 |- Y+ b; j# z+ Y5 ?布局：; M" U: l( x' b% k' H
原則——靠近主控（CPU）放置" W, B8 \: P& P4 p8 i
當(dāng)只有1片SDRAM存在時(shí)，采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，SDRAM到CPU推薦的中心距離：900-1000mil5 y4 Z6 }% T0 u' M9 L, Y
9 E2 w( p0 W3 T$ ~ [7 V) `/ {4 `8 t, ^5 `0 Q
5 l. Q1 j/ b" q% G3 j( t5 Y) A. F4 m% F. l7 j5 d
當(dāng)有2片SDRAM存在時(shí)，相對(duì)于CPU嚴(yán)格對(duì)稱
3 ?: Y* ]/ A: L. a) ~, P
4 P/ }- _7 I s. W
. s+ i; ~8 p+ T5 T. c+ l' E6 ]! V: P
5 E6 \& U: W+ t1 F. H
布線要求：$ l; n5 ~! K! G! S
1.特性阻抗:50歐# O$ ~8 v" o3 s
2.數(shù)據(jù)線每9根盡量走在同一層(D0~D7,LDQM;D8~D15,HDQM)
1 r1 h- ]: t" u6 d9 C3. 信號(hào)線的間距滿足3W原則
9 o" R- k5 h3 O; G% g! Z4. 數(shù)據(jù)線、地址（控制）線、時(shí)鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W S4 l4 K1 Z9 I9 k7 y3 l
5. 空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度9 U$ l" q' D, h& y: s2 C
推薦為15-30mil
) G5 }" y! Y' S- _4 Z6. 完整的參考平面
; m/ E2 B& f3 A5 f" z8 `: k0 L2 v
0 c+ q. l1 j; d, I: v9 r( `) S! n
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. z6 p- x; i! d5 P- z/ V
( i6 M- A, q2 p: a6 }- H0 O
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