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深度解析Differential via(差分過孔)長度在工程應(yīng)用中對(duì)高速信號(hào)的影響

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匿名  發(fā)表于 2024-9-28 07:49:00 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
本文重點(diǎn)摘要:第一部分:介紹過孔結(jié)構(gòu)以及過孔阻抗的影響因素第二部分:走線過孔及BGA過孔隨長度變化怎么變化第三部分:連接器差分過孔隨過孔長度變化怎么變化第四部分:過孔參數(shù)選擇,實(shí)心、空心孔對(duì)信號(hào)影響
第一部分:過孔及影響過孔阻抗的因素隨著越來越多的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向具有ps級(jí)邊沿速率的高速串行鏈路,通道中的任何阻抗不連續(xù)性都會(huì)對(duì)信號(hào)質(zhì)量產(chǎn)生不利影響。通道不連續(xù)性來自多個(gè)來源,必須仔細(xì)考慮每個(gè)來源。通道不連續(xù)性的一個(gè)常見被忽視的來源是信號(hào)過孔。Vias(過孔)可能會(huì)增加抖動(dòng)(jitter)并減小眼圖(eye opening)的張開度,這可能導(dǎo)致接收器錯(cuò)誤地解析數(shù)據(jù)。
下圖顯示了高速串行鏈路中典型差分通孔的結(jié)構(gòu)。通孔由信號(hào)線Trace IN或Trace Out通孔的焊盤、用于層轉(zhuǎn)換的鉆孔、非功能焊盤(NFP或未使用的焊盤)和通孔反焊盤間隙組成。在這個(gè)通孔中,100Ω差分信號(hào)線進(jìn)入第1層的過孔并在第6層Trace Out,同時(shí)從第6層到電路板底部留下通孔殘樁,以及分別在第3層和第8層上的兩個(gè)非功能焊盤。

過孔可以表現(xiàn)為電容和/或電感不連續(xù)性。當(dāng)信號(hào)通過過孔時(shí),這些電容和電感寄生會(huì)導(dǎo)致信號(hào)退化。下圖顯示了一個(gè)簡單的集總LC pi型電路來說明過孔電容和電感效應(yīng)。

公式1給出了通孔電容的經(jīng)驗(yàn)公式,公式2給出了通孔電感的經(jīng)驗(yàn)公式

εr是相對(duì)介電常數(shù),D1是過孔焊盤的直徑,D2是反焊盤的直徑,T是PCB的厚度,h是過孔長度,d是過孔筒直徑。
過孔的寄生電容會(huì)給電路造成的主要影響是延長了信號(hào)的上升時(shí)間, 降低了電路的速度, 電容值越小則影響越小。
過孔本身就存在寄生電感, 在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中, 過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。過孔的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的作用, 減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。
從式中可以看出, 過孔的直徑對(duì)電感的影響較小, 而對(duì)電感影響最大的是過孔的長度。
為了最小化公式1中通孔的電容效應(yīng),使過孔焊盤的直徑變小,同時(shí)增加反焊盤的直徑。同樣,最小化公式2中過孔柱的長度以降低過孔的電感。
標(biāo)準(zhǔn)過孔的代表性等效電路模型如下圖所示。L1是進(jìn)入過孔的第1層上的微帶走線,L6是離開第6層上的過孔的帶狀線走線。當(dāng)信號(hào)通過過孔時(shí),它遇到的每個(gè)過孔焊盤都會(huì)貢獻(xiàn)一些電容,而孔柱的每個(gè)部分都會(huì)增加電感。在這種情況下,Cpad1、Cpad3、Cpad6和Cpad8分別代表來自第1、3、6和8層上的通孔焊盤的電容貢獻(xiàn)。類似地,L13、L36和L68分別對(duì)從第1層到第3層、第3層到第6層以及第6層到第8層的孔柱部分的電感貢獻(xiàn)進(jìn)行建模。
L68和Cpad8的串聯(lián)組合代表第6層下面的通孔殘樁,俗稱Stub。當(dāng)信號(hào)通過過孔時(shí),這些電容、電感和殘樁寄生會(huì)導(dǎo)致信號(hào)衰減。

雖然公式1和2不能直接應(yīng)用于這個(gè)等效模型,但最小化過孔電容和電感的技術(shù)仍然適用。為了進(jìn)一步理解這些參數(shù)單獨(dú)的貢獻(xiàn),可以使用HFSS全波3D場模擬器來評(píng)估過孔的阻抗和s參數(shù)分布,并進(jìn)行相應(yīng)的優(yōu)化。這些優(yōu)化是理解公式1和2中描述的Cvia和Lvia的直接結(jié)果,包括以下內(nèi)容:
減小電容的方法可以通過:
1.減小過孔焊盤
2.去掉非功能焊盤
3.增大反焊盤

減小電感的方法可以通過:
1.消除或減小殘樁(Stub)
2.減小過孔長度并且背鉆(Backdrill)
3.增加回流地孔

因此,要優(yōu)化過孔的阻抗,通常我們只需要優(yōu)化對(duì)應(yīng)的電感值和電容值即可。不要忽略的是,過孔直徑影響了電感值,這也是設(shè)計(jì)過孔阻抗需要考慮的一個(gè)重要點(diǎn)。

根據(jù)以上的知識(shí),似乎很容易就可以喊出以下的結(jié)論:
①減小過孔焊盤,電容減小,阻抗變大;
②減小過孔直徑,電感變大,阻抗變大;
③增大反焊盤,電容減小,阻抗變大;
④增大過孔長度,電感變大,阻抗變大;
⑤減小過孔殘樁,電容減小,電感減小,LC諧振減小,阻抗變大;

解釋①:D1減小,按照公式1代入C減小,那么脫離公式去理解,為什么焊盤減小,電容減。亢副P減小,無非就是相對(duì)參考層的表面積減小,同時(shí),距離增大,是不是電容C減小了。解釋②:d減小,按照公式2代入L增大,那么脫離公式去理解,為什么過孔直徑減小,電感增大?電感本身是和走線長度有關(guān)系的,也與回路電感相關(guān)。常識(shí)告訴我們越細(xì)越長的走線L越大,越短越粗的走線L越小,減小孔徑,過孔與回流路徑的距離增大,互感減小,回路電感增大,所以孔徑變細(xì),L變大。
解釋③:D2增大,按照公式1代入C減小,那么脫離公式去理解,為什么反焊盤增大,電容減小?反焊盤增大,無非就是過孔與參考平面的距離增大,等效成平板電容d增大,那么是不是就是C減小了。解釋④:h增大,按照公式2代入L增大。這個(gè)與②一樣,就是長度增加,電感增加,很好理解。解釋⑤:減小stub,為什么阻抗變大。雖然減小stub,L和C都在變化,但最主要的還是減小的LC諧振,S21和S11都能得到改善,阻抗也會(huì)隨之變好。以上的內(nèi)容對(duì)于單孔都很好理解,然而,對(duì)于差分過孔,又會(huì)多引入一個(gè)變量,那就是差分過孔之間的間距。⑥增大過孔間距,電容減小,阻抗變大;解釋⑥:差分過孔間距增大后,PN之間的電容減小,阻抗增大。好了,鋪墊做完了,來到今天的正題。研究差分過孔長度在工程應(yīng)用中對(duì)高速信號(hào)的影響。
第二部分:普通走線差分過孔現(xiàn)在的PCIe5.0信號(hào)速率達(dá)到32Gbps,已然已經(jīng)普及到PC和服務(wù)器的各個(gè)平臺(tái)。為了用戶的擴(kuò)展需求,各類連接器也是遍布全板,MCIO、OCP、PCIe Slot、包括M.2、SSD也走PCIe協(xié)議。這么多信號(hào)要出來,不換層是不可能的。那么,這一類走線的中間層換層過孔姑且就先叫它普通走線差分過孔。
如果只記住第一部分的結(jié)論④:過孔越長,阻抗越大是沒用的,為什么?一個(gè)項(xiàng)目下來,板子多厚不光是硬件設(shè)計(jì)的事,還需要遵循結(jié)構(gòu)的要求,很多時(shí)候都是結(jié)構(gòu)占主導(dǎo)的,就是定死了板厚。你只能在這個(gè)板厚的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)層數(shù),所以你不可能通過增加板厚來增加過孔長度。之前看到某些書只掃描通孔長度的影響,隨意改變板厚來說明過孔長度的影響,但是又不說清楚應(yīng)用中怎么實(shí)現(xiàn),這種對(duì)于新人來說就不太友好。所以正確的方法應(yīng)該是需要研究出線在不同層的時(shí)候過孔阻抗的變化。無論你是在內(nèi)層的哪一層出線,免不了都有stub,需要背鉆,同樣是背鉆,是不是隨意走哪一層都一樣呢?那么我們固定stub為10mil,來分析是不是每一個(gè)內(nèi)層出線都一樣。
以一個(gè)20層板為例,選這個(gè)多層主要是因?yàn)閮?nèi)層多,這樣可以更直觀地看過孔長度的變化。

孔徑為10mil,焊盤18mil,反焊盤24mil,孔間距32mil,stub 10mil。短孔和?孔的阻抗是怎么樣的呢?是?樣的嗎?




VIA Wizard生成內(nèi)層的過孔模型


信號(hào)走線層分別為L3、L5、L7、L9、L12、L14、L16、L18。
全部跑完后在Circuit里面完成電路仿真,所有設(shè)置保持一樣。


接下來看阻抗結(jié)果

信號(hào)走線層從上至下分別為L3、L5、L7、L9、L12、L14、L16、L18,阻抗越來越小,說明VIA
Length越長,阻抗越小。
最小最大相差10歐姆,從結(jié)果可以得知,不是隨便哪一層都可以走如此高的信號(hào)。在這個(gè)數(shù)值下,差分85歐建議走在第五層。
第一部分第④條結(jié)論不是說增大過孔長度,電感變大,阻抗變大嗎?
為什么仿真的結(jié)果是反的?別急,這正是一些書中不會(huì)告訴你的秘密。
我們分析一下,這條結(jié)論針對(duì)單個(gè)過孔肯定成立,因?yàn)殡娙輿]變,電感在增加,阻抗肯定變大,書里說的也沒錯(cuò)哈。差分過孔還需要考慮兩個(gè)正負(fù)信號(hào)孔之間的互容。
當(dāng)PN孔間距較小時(shí),即兩個(gè)孔柱之間的距離d值較小,隨著孔柱長度的增加,表面積也在增加,雖然電感也在增加,但是電感值L的增量比不過電容值C的增量。因此,盡管過孔長度增加,阻抗是在下降。
通過這個(gè)案例說明了什么?“書里都是騙人的”,要想不犯錯(cuò),還是要自己動(dòng)手驗(yàn)證驗(yàn)證。
剛才也說了,是當(dāng)PN孔間距較小時(shí),才會(huì)出線過孔越長,阻抗越小。那么,當(dāng)PN孔間距較大時(shí)呢?
我們加大孔間距看看。




按照上面的方式,替換成新的S參數(shù),重新仿真。




當(dāng)過孔孔半徑4mil,焊盤8mil,孔間距達(dá)到39.37mil時(shí),可以看到隨著信號(hào)走線層從上至下分別為L3、L5、L7、L9、L12、L14、L16、L18,阻抗越來越大,說明VIA Length越長,阻抗越大。
對(duì)于100ohm阻抗的要求,可以選擇這個(gè)尺寸的過孔。
此時(shí),BGA的過孔就是很好的例子。
那么,BGA里面的過孔,是否如我們所想,也是這個(gè)規(guī)律?
受限于BGA封裝的空間,而且需要背鉆,BGA的過孔只能選擇半徑4mil的孔,焊盤8mil,反焊盤12-13mil,基本上沒有可選的空間,限制死了。
把上面的操作再重復(fù)一遍





沒錯(cuò),結(jié)論成立。當(dāng)孔間距足夠大時(shí),電感的增量超過了電容的增量。此時(shí)便會(huì)重現(xiàn)過孔長度越長,阻抗越大的結(jié)論。
看到上面曲線,你可能有疑惑,為什么同一條阻抗曲線會(huì)曲線左邊高右邊低的情況,到底哪個(gè)點(diǎn)是過孔阻抗?
很簡單,做個(gè)驗(yàn)證,以L16層過孔為例。



不用多說,很清楚了吧。
第三部分:連接器差分過孔
高速信號(hào)四通八達(dá),高速連接器也五花八門,不管怎么變化,都有一個(gè)共同的特點(diǎn),那就是孔徑大。多大的孔呢?
以一款56Gbps的壓接連接器為例,信號(hào)孔德完成孔徑為0.24±0.04mm



下面再看一個(gè)實(shí)例
板厚3.4mm,18層板,厚度保持不變。L4層過孔長度約50mil,完成孔徑0.34mm、鉆頭0.45mm、焊盤單邊5mil(焊盤大小是完成孔徑單邊加5mil)、反焊盤36mil,去非功能焊盤。





信號(hào)走線層從上至下分別為L4、L6、L13、L15,阻抗越來越小,說明VIA Length越長,阻抗越小。
當(dāng)孔徑大了后,相對(duì)表面積在變大,電容增大,隨著長度的增加,電感的增量小于電容的增量,整體上依然呈現(xiàn)容性,所以對(duì)于連接器過孔而言,過孔長度越長,阻抗越小。
第四部分:過孔參數(shù)選擇
從SIWave導(dǎo)入HFSS中的過孔可以是空心的,而從3Dlayout導(dǎo)入的HFSS的就是實(shí)心的。經(jīng)?吹接腥藛,能不能解決3DLayout導(dǎo)入的HFSS的實(shí)心的問題。
怎么解決不知道,哈哈。
但有沒有影響,驗(yàn)一下不就知道了。
5mil實(shí)心孔



5mil外徑電鍍20%,即成型孔4mil

或者50%

仿真結(jié)果一致。

說明孔壁鍍銅厚度不影響高速信號(hào),電源除外。影響過孔阻抗的是鉆頭的大小,而不是鍍銅后的內(nèi)徑參數(shù)。
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