|
3W原則:$ O9 @! [# ^8 Y7 s( X6 J
這里3W是線與線之間的距離保持3倍線寬。你說(shuō)3H也可以。但是這里H指的是線寬度。不是介質(zhì)厚度。是為了減少線間串?dāng)_,應(yīng)保證線間距足夠大,如果線中心距不少于3倍線寬時(shí),則可保持70%的線間電場(chǎng)不互相干擾,稱為3W規(guī)則。如要達(dá)到98%的電場(chǎng)不互相干擾,可使用10W規(guī)則。針對(duì)EMI。" _( X5 W, p+ v
( G l1 }% _3 F# T, K2 {* M+ k- t7 f# D: e) @* U
20H原則:
7 z# x1 W# G1 b% [' y% i 是指電源層相對(duì)地層內(nèi)縮20H的距離,當(dāng)然也是為抑制邊緣輻射效應(yīng)。在板的邊緣會(huì)向外輻射電磁干擾。將電源層內(nèi)縮,使得電場(chǎng)只在接地層的范圍內(nèi)傳導(dǎo)。有效的提高了emc。若內(nèi)縮20H則可以將70%的電場(chǎng)限制在接地邊沿內(nèi);內(nèi)縮100H則可以將98%的電場(chǎng)限制在內(nèi)。針對(duì)EMC8 [2 B* I% U: X
pcb設(shè)計(jì)中的20H原則?
s- \1 B9 c5 F5 z, r( t) P2 W "20H規(guī)則"的采用是指要確保電源平面的邊緣要比0V平面邊緣至少縮入相當(dāng)于兩個(gè)平面間層距的20倍。5 R) ?( ]3 O9 q+ p3 X
這個(gè)規(guī)則經(jīng)常被要求用來(lái)作為降低來(lái)自0V/電源平面結(jié)構(gòu)的側(cè)邊射擊發(fā)射技術(shù)(抑制邊緣輻射效應(yīng))。
9 F. `. P* q7 G* w# w20H規(guī)則僅在某些特定的條件下才會(huì)提供明顯的效果。這些特定條件包括有:% E _+ t' h0 x- }- x
1. 在電源總線中電流波動(dòng)的上升/下降時(shí)間要小于1ns。* L: u: L! ^% X% j7 \6 N
2. 電源平面要處在PCB的內(nèi)部層面上,并且與它相鄰的上下兩個(gè)層面都為0V平面。這兩個(gè) 0V平面向外延伸的距離至少要相當(dāng)于它們各自與電源平面間層距的20倍。
9 c) n$ j6 W5 |; d* n6 }3. 在所關(guān)心的任何頻率上,電源總線結(jié)構(gòu)不會(huì)產(chǎn)生諧振。
# }" {+ e7 s7 `3 F1 C _4. PCB的總導(dǎo)數(shù)至少為8層或更多。+ H, [& q3 M4 k3 Y
# Z, c/ _! K8 o3 H( q1 ~若內(nèi)縮20H則可以將70%的電場(chǎng)限制在接地邊沿內(nèi);內(nèi)縮100H則可以將98%的電場(chǎng)限制在內(nèi)。
+ y& Q$ j- v8 l1 y. x* H1 j3 P) [' F! w/ x( T# D2 @) y% h
筆面試作答簡(jiǎn)記:+ O% g- R0 g1 n1 P l
20H原則是指電源層邊緣要比地層邊緣至少縮進(jìn)20倍的層與層間距,以抑制邊緣輻射效應(yīng);6 } ]2 k9 U" f: S
內(nèi)縮20H可限制70%的電場(chǎng),內(nèi)縮100H可限制98%的電場(chǎng)。
+ t! W. ?, }/ J" U% R
1 i# t/ h$ W* k$ [: [五---五規(guī)則:
. f5 W: T7 z' o1 |5 k9 } 印制板層數(shù)選擇規(guī)則,即時(shí)鐘頻率到5MHz或脈沖上升時(shí)間小于5ns,則PCB板須采用多層板,這是一般的規(guī)則,有的時(shí)候出于成本等因素的考慮,采用雙層板結(jié)構(gòu)時(shí),這種情況下,最好將印制板的一面做為一個(gè)完整的地平面層。
. w- o' q9 {5 r
$ C: q+ z' Q+ @/ {4 M& ^. X) G8 u% ?8 O
|
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看,沒(méi)有賬號(hào)?立即注冊(cè)
x
|