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發(fā)表于 2024-8-15 07:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
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半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET),簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。
: W' F/ V% }/ n& i場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
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- S6 l/ d: V$ ~& u$ x% p在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯(cuò),JFET相對(duì)來說是比較少使用的,如果你問百度,百度貌似也無法回答你這個(gè)問題。$ W! i2 K- u+ J% N

$ Z7 W+ J2 ~$ p! |歡迎知道原因的朋友留言分享一下,為什么結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管比較少使用?1 L: i+ f2 o7 x% E: g
下面我們就跳過JFET,來點(diǎn)實(shí)際的,還是直接分享絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)吧。
8 R9 B, J( g/ t" l- n# ^絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為MOS管。
* j% i: @2 c9 G8 @- a4 u+ O9 lMOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
/ G5 F8 c& E3 J! |5 ?+ x* M/ o$ z% fN溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱為NMOS,P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱為PMOS。
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▲ MOS管種類& F$ E4 {9 D4 h  c+ d
MOS管共有3個(gè)腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,所以,你見到的MOS管的符號(hào)通常是畫成下面這樣的。; d, _" l" y6 N% ?' [9 r5 A

# i) t) {. g( }# S- d▲ MOS管符號(hào)通常是畫成這樣的# L# P; t* U3 z3 K9 a" I% I& V
仔細(xì)觀察的朋友可以發(fā)現(xiàn),無論是N溝道還是P溝道,寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。) x6 K* `; s" E- c2 n2 N7 w
其實(shí)在一般使用中,更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管,耗盡型的管子是比較少使用到的。
2 h, H' g, `8 [2 X8 ~  @0 R% \# i3 h那么,如何使用MOS管做電子開關(guān)?比如用來驅(qū)動(dòng)LED?
. o2 V1 n$ N  i: r6 M- P* y5 @. C先來兩個(gè)圖。
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* c: z8 w. w: ]! X  d▲ MOS管做電子開關(guān)的簡(jiǎn)單應(yīng)用# D: I: f1 e; I% O7 A
一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。
/ W) i+ n9 `1 e; E& S9 ~/ V) I對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,這里所說的“一定值”是指開啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V之間。  c' e' {4 {% h! {9 [8 W

) h8 t+ U! H$ r! P對(duì)于P溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V之間。* M8 D. V3 z& o( b0 j% e
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如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無法導(dǎo)通,所以說MOS管是電壓控制型元件。, a! {( H' U. }/ N5 G
可能會(huì)有朋友問,電路圖中的電阻Rgs有什么作用?
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是這樣的,在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個(gè)電容器。
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這些寄生電容是無法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。
7 ^" {- Y: q" S( `& {( `$ T如果上面的電路圖沒有電阻Rgs的,電路將會(huì)變成怎樣呢,下面以圖1為例,做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。
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沒有電阻Rgs時(shí),在G極接上5V控制信號(hào),相當(dāng)于給寄生電容Cgs進(jìn)行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。
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7 z4 p: I6 J# F當(dāng)有G、S兩極有電阻Rgs時(shí),當(dāng)G極撤去5V信號(hào),電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。( I6 q4 K9 w. v& z: g# B4 A
所以,上面電路加入電阻Rgs,可以對(duì)電容的電壓進(jìn)行及時(shí)的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒有控制信號(hào)時(shí)誤動(dòng)作。- T. Q& _" T$ j5 \1 ~' g
MOS管具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。MOS管相關(guān)的知識(shí)還有很多,以后再跟大家討論。
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