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發(fā)表于 2024-8-15 07:40:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
. N( g4 a+ U" M7 I
點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多" s7 [# T! g) t; r* |
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( O0 w$ p! H3 t/ j2 v& J# \: t
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。
- n/ f% ~: A3 V! C1 h9 N5 Q場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。" B" z* z2 v' {; ?$ O; B
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在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。' |" ~2 x) e: f& n4 x- Y0 c
2 O, ]: D8 y* {9 w% }

' ~. T* ]4 N; o* a# l即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFET相對來說是比較少使用的,如果你問百度,百度貌似也無法回答你這個問題。
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歡迎知道原因的朋友留言分享一下,為什么結(jié)型場效應(yīng)管比較少使用?
. {& ^" @3 w  O下面我們就跳過JFET,來點(diǎn)實(shí)際的,還是直接分享絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識吧。2 J/ O, L. H& G8 k
絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為MOS管。) B! x) H9 }+ N; {
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
, A# b3 D$ t$ g; ~7 `N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS,P溝道的MOS管簡稱為PMOS。
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6 x$ V. p5 j. s3 T- V▲ MOS管種類
' f2 @  @+ T6 I* L$ rMOS管共有3個腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會有一個寄生二極管,所以,你見到的MOS管的符號通常是畫成下面這樣的。
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▲ MOS管符號通常是畫成這樣的, E& B. }2 m: ^( p$ X
仔細(xì)觀察的朋友可以發(fā)現(xiàn),無論是N溝道還是P溝道,寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。
5 n+ ?  L: B7 @9 p/ C其實(shí)在一般使用中,更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管,耗盡型的管子是比較少使用到的。
8 y* W- U7 N  X; r2 E* }那么,如何使用MOS管做電子開關(guān)?比如用來驅(qū)動LED?; y6 `, H. ?9 i; q+ z
先來兩個圖。$ p! E4 U! @0 n7 z% N: ]% k

) [7 h& `% W1 X. G, Q▲ MOS管做電子開關(guān)的簡單應(yīng)用' W9 F+ x. y) C; y
一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。1 r: q' y4 x( M1 R9 _
對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時就會導(dǎo)通,這里所說的“一定值”是指開啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V之間。
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對于P溝道增強(qiáng)型的MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時就會導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V之間。
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9 |3 T& K/ p! z: ~! w如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無法導(dǎo)通,所以說MOS管是電壓控制型元件。
$ Q1 w+ ~" h  a7 c2 C/ J' x可能會有朋友問,電路圖中的電阻Rgs有什么作用?) p( Y3 {% g7 ]% T. s8 p
! ?+ Y3 R3 C, p* ^
是這樣的,在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個電容器。
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) v, V5 i0 Q* s6 o這些寄生電容是無法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。
6 A* T) a( d+ D+ c+ W( U9 t如果上面的電路圖沒有電阻Rgs的,電路將會變成怎樣呢,下面以圖1為例,做個小實(shí)驗(yàn)。# |- }7 `! F9 n/ t) j5 y' E6 A, |, g
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沒有電阻Rgs時,在G極接上5V控制信號,相當(dāng)于給寄生電容Cgs進(jìn)行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。
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; B* b  M. ~3 @4 c& a: q當(dāng)有G、S兩極有電阻Rgs時,當(dāng)G極撤去5V信號,電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。
5 s. e! h0 j% z. b所以,上面電路加入電阻Rgs,可以對電容的電壓進(jìn)行及時的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒有控制信號時誤動作。) F* h# H. j2 x
MOS管具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。MOS管相關(guān)的知識還有很多,以后再跟大家討論。: G/ ~; @) l7 g5 n) A
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) e$ d. j5 |" }' Q2 c: L" ?0 h聲明:文章來源網(wǎng)絡(luò)。本號對所有原創(chuàng)、轉(zhuǎn)載文章的陳述與觀點(diǎn)均保持中立,推送文章僅供讀者學(xué)習(xí)和交流。文章、圖片等版權(quán)歸原作者享有,如有侵權(quán),聯(lián)系刪除。投稿/招聘/推廣/宣傳 請加微信:woniu26a推薦閱讀▼" E9 [; ~% \: p, K* R  O3 _- m
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