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全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:前十名供應(yīng)商全是海外企業(yè)?

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發(fā)表于 2022-11-11 11:47:23 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。
圖:功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類
來(lái)源:國(guó)金證券研究所
隨著下游電氣化程度不斷增加,功率半導(dǎo)體需求提升,器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元,對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%;其中,模塊增速快,2025 年占比將達(dá) 39%,對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó)作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將從 106.9 億美元增至 124.3 億美元。
圖:全球/中國(guó)功率器件市場(chǎng)(億美元)
來(lái)源:Omdia,國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究所
在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。
目前,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商全是海外企業(yè),市場(chǎng)份額高達(dá) 60%以上,我國(guó)功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程目前仍然處于初步階段。
圖:全球功率器件需求按區(qū)域分布占比
來(lái)源:IDC,東興證券研究所
圖:全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局
來(lái)源:IHS Markit,東興證券研究所
國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。
MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。
MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求,目前產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于汽車電子、新能源、工控、電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域,并具有UL、RoHS和REACH等多項(xiàng)認(rèn)證,可為客戶提供可靠、優(yōu)質(zhì)和定制化的半導(dǎo)體解決方案商。
自成立以來(lái),MDD 先后在國(guó)內(nèi)外斬獲百余項(xiàng)的專利與榮譽(yù),業(yè)務(wù)覆蓋全球40多個(gè)國(guó)家,同時(shí)享有國(guó)內(nèi)外各電子領(lǐng)域企業(yè)的良好口碑。
為助力功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代,電子產(chǎn)業(yè)一站式服務(wù)平臺(tái)華秋電子與MDD建立了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,成為其授權(quán)代理商。廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買MDD品牌產(chǎn)品!
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MDD7N65F
應(yīng)用場(chǎng)景 :LED驅(qū)動(dòng),適配器
功能特點(diǎn) :低導(dǎo)電阻、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量
產(chǎn)品參數(shù) :VDSS:650V,ID:7.0A,RDS(on):1.2Ω
MDD7N65D
應(yīng)用場(chǎng)景 :LED驅(qū)動(dòng),適配器
功能特點(diǎn) :低導(dǎo)電阻、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量
產(chǎn)品參數(shù) :VDSS:650V,ID:7.0A,RDS(on):1.2Ω

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