本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-4 11:28 編輯 " I, d3 \5 d, c3 }" a. {
& V8 G; {8 C0 K: |# e
SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）
L* m: i" h/ |. @7 S引腳定義如下：
) ?( ~( Q3 g9 K. s
2 s# o i; O. ~# K) _" q; m. o* D- u0 _& p# G% q; u$ O
布局：
x4 c1 `) g# ] G原則——靠近主控（CPU）放置
5 x. K8 @. g: H. b5 }, O當(dāng)只有1片SDRAM存在時(shí)，采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，SDRAM到CPU推薦的中心距離：900-1000mil
# g! K0 f3 U. Q7 H' d4 ^( R9 y& w) M' q. f6 \ O# P
# w! P. S9 f5 s$ `+ a
. ^! K2 Z0 g) S; k
9 Q2 r6 ^' u2 `0 c7 o" Q- \當(dāng)有2片SDRAM存在時(shí)，相對(duì)于CPU嚴(yán)格對(duì)稱9 A+ `, c+ M% q- W' o
. ~, R& b0 T) A7 v* A+ i5 a
/ S. N; O5 i4 N8 g/ h
5 n, K Q* W8 g9 s; {! w$ u
6 g8 t1 g r: b布線要求：
5 W/ |; z4 t; E/ ]) `( S1.特性阻抗:50歐
4 z) I4 y( P/ K* {/ m0 T2.數(shù)據(jù)線每9根盡量走在同一層(D0~D7,LDQM;D8~D15,HDQM)5 i0 Y7 z* T& K( C7 y
3. 信號(hào)線的間距滿足3W原則) m" N* {- d4 ~
4. 數(shù)據(jù)線、地址（控制）線、時(shí)鐘線之間的距離保持20mil以上或至少3W
! h' S& t l6 f, e/ l8 p; Y* k5. 空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度% Q6 h" h' `6 T. R
推薦為15-30mil
! }3 c5 t, V, } u' n8 W6. 完整的參考平面! l) P" m2 l" Q; g: u
4 v! K5 b2 {# d% ]* N+ |* O3 J+ l
0 G! W$ i. O* M8 j, P4 | h% s+ }4 _游客，如果您要查看本帖隱藏內(nèi)容請(qǐng) 回復(fù)
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