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基本概述1 x2 I3 s% P3 I3 ` 氮化鎵(GaN)技術(shù)在電力電子領(lǐng)域帶來了進(jìn)步,與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,具有更優(yōu)越的性能特征。本文探討GaN技術(shù)的基本原理、發(fā)展歷程及在現(xiàn)代電子工程中的重要性[1]。 0 d' G) [& y&nb ...
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