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引言0 t2 s" k& a7 W8 P' C2 A- M) g' h 量子點(diǎn)(QDs)已成為集成量子光電子線(xiàn)路中片上單光子源的有前途候選者。然而,在單個(gè)芯片上使用多個(gè)量子點(diǎn)的主要挑戰(zhàn)之一是發(fā)射波長(zhǎng)的固有變化。本文探討了創(chuàng)新方法,使用表面 ...
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