四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心2024年度基金指南項目

一、項目簡介四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心由四川省發(fā)展和改革委員會批準設立。為了加快推進寬帶微波共性基礎與關鍵技術突破，加快科技成果的工程化開發(fā)和轉化，培養(yǎng)高水平的工程技術人才，更好的服務于四川省乃至我國電子信息產業(yè)與電子裝備發(fā)展設立基金指南項目。
項目分為指南征集與發(fā)布、項目申報與立項、項目實施、項目驗收四個階段，研究周期不超過2年，研究經費不超過40萬/項。項目結題需發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，申請專利不少于1項,論文需標注受“四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心（英文名Sichuan Province Engineering Research Center
for Broadband Microwave Circuit High Density Integration）資助”，項目成果歸本中心及申請者共有。
二、指南條目（一）BMERC004-
2024-01：毫米波/太赫茲晶圓級集成微系統關鍵技術研究研究內容與目標：圍繞THz通信對小型化高性能毫米波陣列需求，針對毫米波/太赫茲頻段晶圓級封裝在集成工藝、拓撲、實現等方面挑戰(zhàn)，開展晶圓級微系統三維異構集成工藝與架構、晶圓級多陣元拓撲優(yōu)化、晶圓級封裝微系統集成實現等關鍵技術研究，探索有源收發(fā)與輻射單元晶圓級微系統集成關鍵技術路徑，形成針對毫米波/太赫茲頻段晶圓級封裝微系統研究思路，建立數字化樣機模型并對關鍵技術加以驗證。
牽引性指標：
1、封裝形式：晶圓級封裝；
2、工作頻段：220GHz；
3、工作帶寬：≥10GHz；
4、單元規(guī)模：≥8×8；
5、接收噪聲：小于9dB；
6、單元發(fā)射功率：大于0dBm。
成果形式：技術研究報告不少于1份，申請專利不少于1項，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，數字樣機模型1套（含三維實體模型與仿真模型）。
研究經費：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（二）BMERC004-
2024-02：寬帶有源可調超表面低散射天線罩技術研究內容與目標：圍繞電子信息系統中傳感器和高頻部件強散射源天線系統散射控制需求，開展寬帶有源可調超表面低散射天線罩技術研究，突破寬頻段寬角度高透波頻率選擇表面綜合優(yōu)化設計、大帶寬可調頻率選擇表面有源器件加載適配及低時延天線罩通/隱高速切換任務匹配等關鍵技術，構建反射/散射、透射狀態(tài)可切換天線罩樣機仿真模型開展驗證，支撐天線系統散射可調控方案設計。
牽引性指標：
1、頻段：8GHz~12GHz；
2、切換時間：≤25ms；
3、通帶透波率：≥85%(8GHz~12GHz，可調帶寬內)；
4、阻帶抑制：≥15dB(8GHz~12GHz，可調帶寬外)；
5、瞬時帶寬：≥500MHz。
成果形式：技術研究報告不少于1份，申請專利不少于1項，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，仿真模型1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（三）BMERC004- 2024-03：高線性雙頻并發(fā)射頻功率放大技術研究研究內容與目標：針對電子裝備對雙頻同時干擾需求，以及現有功率放大器技術難以同時在兩個載波并發(fā)激勵下高效工作的問題，開展雙頻并發(fā)射頻功率放大器在兩載波并發(fā)激勵下性能劣化的機理研究，建立雙頻并發(fā)射頻功率放大器的理論模型，突破雙頻并發(fā)約束下功率放大器的效率提升與帶外雜散抑制等關鍵技術，提出新的雙頻并發(fā)功率放大器架構與設計方法，在關鍵性能指標上實現對傳統架構的超越。  
牽引性指標：
1、低頻段工作頻率：1.1~1.6GHz；
2、高頻段工作頻率：2.4~2.6GHz；
3、飽和輸出功率≥50W（單載波）；
4、雙頻并發(fā)三階交調≤-15dBc（高低頻段各1個載波，兩載波總功率≥30W）；
5、雙頻并發(fā)效率≥40%（高低頻段各1個載波，兩載波總功率≥30W）。
成果形式：技術研究報告不少于1份，申請專利不少于1項，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，原理樣機1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（四）BMERC004-
2024-04：超寬帶單片集成巴倫芯片關鍵技術研究研究內容與目標：圍繞寬帶陣列波束形成網絡小型化需求，開展超寬帶芯片化集成巴倫芯片設計研究，通過對巴倫器件在超寬帶工作下幅相特性進行平衡補償，研究補償網絡拓撲結構，定量分析補償網絡拓撲對系統非線性、阻抗匹配和信號失真的影響。利用數學模型來描述和預測補償網絡在不同工作狀態(tài)下的行為表現，通過理論計算或實驗來評估其性能效果�；�于耦合模型或分布模型的等耦合線建模方法，利用理論模型和電磁仿真工具，深入研究補償網絡的拓撲結構對信號傳播的影響，突破超寬帶芯片巴倫電路建模、參數提取、等效電路分析等關鍵技術。形成從10MHz到Ka頻段的超寬帶單片巴倫芯片的原型拓撲設計與參數優(yōu)化方法，為寬帶射頻陣列高密度集成提供有效支撐。
牽引性指標：
1、工作頻率：10MHz~32GHz；
2、幅度平衡度：＜0.5dB；
3、相位平衡度：＜5°；
4、插入損耗：≤8dB（典型值5dB）@1~20GHz；
5、共模抑制：＞20dB；
6、回波損耗：＜-10dB。
成果形式：技術研究報告不少于1份，申請專利不少于1項，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，仿真設計文件1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（五）BMERC004-
2024-05：曲面陣列天線測試方向圖分析與校正技術研究內容與目標：圍繞曲面陣列天線因單元朝向各異、相位中心難以對準導致的方向圖測試問題，開展曲面陣列天線方向圖測試及校準方法的研究，突破校準方法的數學物理模型建立，形成校正算法代碼，作為曲面陣列天線方向圖后處理數據通用方法，為曲面陣列天線方向圖結果分析不準提供解決途徑。
牽引性指標：
1、單元天線幅度方向圖校正結果與全波仿真結果誤差優(yōu)于±0.5dB，相位優(yōu)于±10°(3dB波束寬度內)；
2、32元S/C波段曲面陣列合成方向圖性能與仿真結果對比，幅度誤差優(yōu)于±0.5dB，相位誤差優(yōu)于±8°(3dB波束寬度內)。
成果形式：技術研究報告不少于1份，發(fā)表EI及以上高水平論文不少于1篇，申請專利不少于1項，校正方法及算法代碼1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（六）BMERC004-
2024-06：可調熱膨脹系數金剛石熱沉制造技術研究內容與目標：本項目針對大功率射頻芯片應用散熱瓶頸，開展低成本金剛石材料制備及成型、金剛石材料熱膨脹系數調控機理及金剛石熱沉功率芯片集成驗證研究，突破兼顧大尺寸高產能金剛石制備、熱膨脹系數調控等關鍵技術，研發(fā)具有可調控熱膨脹系數、超高導熱率、低成本的高適應性金剛石熱沉制造技術。
牽引性指標：
1、導熱率不小于800W/m·K；
2、熱脹系數3~6ppm/℃可調節(jié)；
3、抗彎強度≥800MPa；
4、鍍層兼容芯片低溫焊料釬焊（SnPb、AuSn）；
5、熱沉尺寸不小于面積10×15mm，厚度0.5~2mm；
6、批量生產片徑不小于60mm。
成果形式：技術研究報告不少于1份，申請專利不少于1項，發(fā)表E1及以上高水平論文不少于1篇，樣件50件（尺寸10×15×1mm，表面鍍金0.5~1μm，熱膨脹系數約5ppm/℃）。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（七）BMERC004-
2024-07：面向三維堆疊射頻SiP的低殘留軟釬焊關鍵技術研究內容與目標：圍繞射頻陣列中SiP低剖面、高集成度的應用需求，針對氣密封裝射頻SiP內釬料凸點堆疊焊接后受限結構助焊劑殘留問題，開展國產高活性易水洗助焊劑、釬料凸點堆疊焊接與封裝低間隙內殘留物清洗等研究，突破低殘留水溶性助焊劑配方設計、適用于射頻SiP的高洗凈清洗設備設計等關鍵技術，完成射頻三維SiP軟釬焊關鍵技術驗證，支撐新型射頻三維SiP產品研制生產。
牽引性指標：
1、助焊劑鹵素含量：≤0.05%；
2、助焊劑銅鏡腐蝕：無穿透性腐蝕；
3、焊料擴展率：無鉛焊料SAC305≥75%；
4、錫球剪切強度：≥16.54MPa（SAC305焊球，直徑0.35mm焊盤） ；
5、水基溶劑清洗后離子殘留濃度：≤1.56ug（NaCl）/cm2。
成果形式：技術研究報告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少以1篇，申請專利不少于1項，助焊劑樣品100g。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（八）BMERC004-
2024-08：微波基板缺陷智能化檢測技術研究內容與目標：圍繞多品種微波組件高質量、自動化、柔性化制造需求，針對傳統自動檢測技術擴展性差，環(huán)境影響敏感，難以適應自動化產線微波基板類來料種類繁多、缺陷模式多樣下的高效檢測問題，開展缺陷特征自適應成像和采集技術、面向缺陷樣本有效性與均衡性的數據增強技術、基于人工智能的高精度快速缺陷檢測算法等研究，突破微波基板缺陷智能化準確高效識別與定位技術、自動化檢測集成技術等關鍵技術，形成整合的具備自學習和可遷移能力的智能檢測系統，完成微波組件產線的集成應用驗證。
牽引性指標：
1、識別對象尺寸長寬最大可至15×22mm，厚度介于0.1mm至2mm之間；
2、單片基板含正反面的識別時間≤100ms；
3、單片基板處理總時間不高于1片/s；
4、漏檢率不高于1%。
成果形式：技術研究報告不少于1篇，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請專利不少于1項，申請軟件著作權不少于1項，原理樣機1套（含軟硬件、軟件工程文件、源代碼、接口規(guī)范）。
研究經費：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（九）BMERC004-
2024-09：金剛石基p-n結二極管關鍵技術研究研究內容與目標：圍繞未來電子設備對下一代半導體器件高響應頻率、高擊穿電場、高熱導率、高抗輻射強度的需求，針對金剛石基半導體摻雜、載流子激活和工藝制備等技術難題，開展單晶金剛石上雙極性載流子調制技術和缺陷抑制技術研究，掌握半導體功能層厚度及摻雜濃度對二極管特性的影響規(guī)律，突破p型歐姆接觸和n型歐姆接觸制備技術，制得金剛石基p-n結二極管并表征其特性。
牽引性指標：
1、n型摻雜金剛石單晶，原子摻雜濃度大于5×1019cm-3；室溫電子濃度大于2×1018cm-3；電阻率小于5Ω·cm；
2、p型和n型摻雜載流子遷移率≥100cm2/(V·s)；
3、p型和n型歐姆接觸電阻率≤50Ω·mm；
4、p-n結二極管正向導通電壓≥0.5V，反向擊穿電壓≥100V，整流比≥105。
成果形式：技術研究報告不少于1篇，發(fā)表EI及以上論文不少于2篇，申請專利不少于1項，金剛石p-n結二極管樣品≥1片。
研究經費：不超過30萬元。
研究周期：2年。
（十）BMERC004-
2024-10：鐵氧體微波器件的非線性響應機理研究研究內容與目標：針對大功率環(huán)境下鐵氧體器材非線性響應對于系統指標影響的問題，開展鐵氧體微波器件非線性效應的產生機理、新型等效拓撲結構等技術研究，突破鐵氧體器件非線性特性準確預測、微波信號幅度自適應調控方法等關鍵技術，建立相應計算方法與仿真模型,為提升系統指標提供新的技術途徑。
牽引性指標：
1、小信號輸入時插損預測誤差≤10%（與典型商業(yè)軟件對比）；
2、產生非線性效應最小功率的預測誤差≤15%；
3、工作頻率范圍預測誤差≤10%；
4、微波信號幅度自動調控范圍≥10dB。
成果形式：技術研究報告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請專利不少于1項，仿真模型1套，原理樣機1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：2年。
（十一）BMERC004- 2024-11：高平坦度集總參數有耗濾波器綜合技術研究內容與目標：圍繞射頻前端對高平坦度無源帶通濾波器需求，針對集總參數濾波器品質因數低引起的通帶平坦度惡化問題，開展高平坦度集總參數有耗濾波器綜合技術研究，突破有耗濾波器傳輸函數獲取、耦合矩陣綜合、拓撲結構生成等關鍵技術，研制綜合算法并形成應用軟件，實現對給定指標濾波器的快速綜合，獲得具有高平坦度特性的平面RLC無源帶通濾波器電路拓撲及電路元件值，為低品質因數條件下高平坦度濾波器設計提供支撐。
牽引性指標：
1、電感Q值10~30，電容Q值50~100（輸入值）；
2、通帶平坦度提升：≥30%（與相同條件下傳統綜合方法相比）；
3、通帶中心頻率0.1GHz~18GHz；
4、1dB相對帶寬≥10%；
5、駐波系數≤1.7；
6、濾波器階數：3階~9階；
7、可自由配置傳輸零點數≥2；
8、同種濾波器參數可生成電路拓撲≥2種；
9、典型綜合時間≤2分鐘。
成果形式：技術研究報告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請專利不少于1項，高平坦度集總參數有耗濾波器綜合算法及應用軟件（軟件，含源代碼）。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：1年。
（十二）BMERC004- 2024-12：多芯片異構集成互聯設計方法研究與應用研究內容與目標：圍繞毫米波頻段多芯片異構集成系統中的芯片互聯及封裝需求，針對毫米波頻段芯片系統中互聯性能不佳的問題，開展基于新型傳輸線平臺的低損耗高集成度的自封裝多芯片互連以及異構集成系統的研究，突破毫米波平面?zhèn)鬏斁�低損耗傳輸、芯片互連及封裝融合設計等關鍵技術，有效降低傳輸及互連損耗，實現高性能高集成度的毫米波多芯片異構集成系統。
牽引性指標：
1、平面互聯損耗及頻率帶寬：實測值≤0.006 dB/mm, 同時覆蓋DC ~ 40 GHz;
2、垂直互聯損耗：實測值≤0.1 dB，同時覆蓋26.5 ~ 40 GHz;
3、電路結構及芯片封裝：多層平面形式，實現芯片及系統自封裝;
4、系統集成驗證：實現1套寬帶接收前端系統，集成芯片數量≥5。
成果形式：技術研究報告不少于1份，發(fā)表EI及以上論文不少于1篇，申請專利不少于1項，原理樣機1套。
研究經費：不超過20萬元。
研究周期：1年。
三、申報須知
1、項目名稱一般與指南條目名稱一致，在明確的研究經費指標限額內合理測算經費需求。項目建議書應提出可考核可驗證的研究成果，并滿足相應牽引性指標。
2、受理的項目申報書通過形式審查后，將組織專家現場評議�，F場評議時，一般采用播放帶錄音講解視頻方式，由申報團隊負責人現場/線上答疑。對同一指南條目申報數量較多的，視情在現場答辯前安排書面評議，遴選部分論證質量相對較高的項目參加現場答辯。
3、每項指南原則上只支持1個團隊獨立研究。
四、申請人基本條件
申請人為國內高等學�？蒲腥藛T,具有副高及以上職稱,在相關技術方向已積累良好的前期基礎，原則上不接受聯合申報。
五、材料申報和受理1.申報單位向中心提交申報書電子版，聯系人：高老師，028-87551412，18708108217，郵箱gaoyang8@cetc.com.cn。項目申報書須由項目申報負責人親自簽名，申報單位須加蓋公章。
2.  本此次受理截止時間為2024年11月18日。
3.  申報單位需對項目建議書內容的真實性進行審核，對申報材料內容負責。
4.  申報材料不得涉及國家秘密。
六、材料格式要求
1.電子版建議書及帶錄音講解匯報視頻。每個項目建1個文件夾，文件夾命名方式：指南條目編號-單位名稱-項目負責人（示例：BMERC004- 2024-XX-XX大學-張三），內包含申報書（word與pdf電子版，pdf電子版封面需加蓋學校章、項目負責人簽字）以及7分鐘以內帶錄音講解視頻（mp4格式）。
2.項目申報書參考有關模板（見附件）組織擬制。
附件：項目立項建議書模板（請掃描下方二維碼獲取，提取碼【1030】）


來源：四川省寬帶微波電路高密度集成工程研究中心




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