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《企業(yè)內(nèi)訓(xùn)—高速PCB信號仿真實(shí)訓(xùn)課程大綱》 培訓(xùn)講師 | 李 增 | 講師情況 | 凡億教育高級PCB及信號仿真講師 | | | | ￥8000元/天（含課件等資料費(fèi),若有）【具體聯(lián)系我方負(fù)責(zé)人報(bào)價(jià)】 | | 073183882355（座機(jī)）/15989478308（手機(jī)） | | | | | | | | | 本課程為通用企業(yè)內(nèi)部培訓(xùn)課程大綱，個(gè)性需求歡迎來電預(yù)約！ |
一、培訓(xùn)背景 隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率和信號邊沿的不斷變陡,信號完整性成為貫穿于高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中最重要的問題之一，了解信號完整性理論，進(jìn)而指導(dǎo)和驗(yàn)證印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)是一件刻不容緩的事情。在大中規(guī)模電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,系統(tǒng)地綜合運(yùn)用信號完整性技術(shù)可以帶來很多好處,如縮短研發(fā)周期,降低產(chǎn)品成本,降低研發(fā)成本,提高產(chǎn)品性能,提高產(chǎn)品可靠性等。 信號完整性主要就是指電路系統(tǒng)中信號的質(zhì)量。引起信號完整性問題的原因比較復(fù)雜,元器件的參數(shù)、PCB的參數(shù)、元器件在PCB上的布局、高速信號的布線等都是影響信號完整性的重要因素。信號完整性問題主要表現(xiàn)為:延遲、反射、過沖、振鈴、串?dāng)_、時(shí)序、同步切換噪聲、EMI等。 二、課程特色 專業(yè)電子設(shè)計(jì)公司一線設(shè)計(jì)工程師課程講授，包含了講師豐富實(shí)際經(jīng)驗(yàn)及使用技巧，課程選取了電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的信號仿真鏈路分析流程進(jìn)行了有針對性的講解，課程的實(shí)例選取緊貼當(dāng)前市場主流的設(shè)計(jì)。課程講解規(guī)范，所有的關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)李老師均打字在屏幕上通過紅色字體和關(guān)鍵圖表進(jìn)行講解，進(jìn)一步加深課程學(xué)習(xí)理解，力爭一次聽懂學(xué)會(huì) 課程所涉及到所有實(shí)例文件，包括拓?fù)湎嚓P(guān)配套文件均100%提供，所涉及到的PCB原始文件，配套原理圖文件，元件手冊文件，SPD轉(zhuǎn)換文件,仿真配置文件，S參數(shù)文件,分析后的仿真報(bào)告文件及相關(guān)其他的規(guī)范文件等均好不保留的全部提供。目的是方便工程師可以對照視頻進(jìn)行操作練習(xí)規(guī)范學(xué)習(xí)。 三、授課對象 硬件設(shè)計(jì)工程師、PCB 設(shè)計(jì)工程師、PCB仿真工程師、PCB項(xiàng)目經(jīng)理、 技術(shù)支持工程師，項(xiàng)目管理人員 四、課程大綱 | | | S參數(shù)的詳解和S參數(shù)的應(yīng)用； | S參數(shù)提取實(shí)例例應(yīng)用分析（PCB板級互聯(lián)仿真分析）(基于Sigrity Power SI軟件下的S數(shù)的實(shí)例應(yīng)用分析) | 【1】S參數(shù)的含義與集總參數(shù)表示的電路模型構(gòu)建辦法； 【2】S參數(shù)的分析，分解，合并，NEXT,FEXT，等效模型； 【3】S參數(shù)的模型應(yīng)用與等效電路模型轉(zhuǎn)換辦法； 【4】S參數(shù)的網(wǎng)絡(luò)模型圖分析與S參數(shù)關(guān)聯(lián)參數(shù)提��； 【5】S參數(shù)的經(jīng)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)與常見的行業(yè)S參數(shù)要求； | S參數(shù)的詳解和S參數(shù)的應(yīng)用互聯(lián)分析（實(shí)例分析） | 【1】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置； 【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號互聯(lián)的過孔&焊盤&銅皮等參數(shù)配置； 【3】添加互聯(lián)端口執(zhí)行電源類仿真參數(shù)設(shè)置&提取S參數(shù)進(jìn)行分析； 【4】添加互聯(lián)端口執(zhí)行信號類仿真參數(shù)設(shè)置&提取S參數(shù)進(jìn)行分析； 【5】S參數(shù)仿真結(jié)果數(shù)據(jù)解讀和報(bào)告文件解讀分析； 【6】實(shí)例文件的優(yōu)化和S參數(shù)的分析中遇到問題的優(yōu)化； 【7】傳輸線LRC的等效模型提取和等效的參數(shù)解讀； | | | | 三維全波場FEM參數(shù)分析和互聯(lián)應(yīng)用分析（實(shí)例分析） | 全波場FEM電磁場分析（PCB板級互聯(lián)仿真分析）（PCB板級互聯(lián)仿真分析）(基于Sigrity Power SI軟件下的全波場FEM分析) | 【1】電磁感應(yīng)的產(chǎn)生原理，磁場的場特征； 【2】 2.5D XYZ三軸磁場，XYZ方向電場E和XYZ方磁場H磁場方向； 【3】三維靜態(tài)磁場，芯片-封裝-電路板系統(tǒng)中出現(xiàn)大多數(shù)3D結(jié)構(gòu)； 【4】FDTD全波電磁模擬算法，麥克斯韋方程式來求解； 【5】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置； 【6】設(shè)置電路模型與電路切割，執(zhí)行區(qū)域仿真切割； 【7】設(shè)置電路的PORT端口，設(shè)置返回路徑和正負(fù)端口； 【8】設(shè)置BOX的區(qū)域切割的范圍，仿真的MESH參數(shù)； 【9】設(shè)置S參數(shù)的提取分辨率，點(diǎn)數(shù)，阻抗的參數(shù)； 【10】執(zhí)行結(jié)果分析&無源與有源信號端口鏈路的處理方法； | | 【1】全波場S參數(shù)分析與解讀，S11,S21，S31,S41; 【2】電源&GND輸入阻抗和傳輸阻抗分析； 【3】電源平面諧振分析，目標(biāo)阻抗計(jì)算與標(biāo)線檢查； 【4】PDN平面改善策略與優(yōu)化傳輸鏈路阻抗分析； 【5】近場輻射場參數(shù)解讀分析，場強(qiáng)與功率場分布； 【6】遠(yuǎn)場FCC標(biāo)準(zhǔn)，水平與垂直磁場結(jié)果分解與分析； 【7】遠(yuǎn)近磁場輻射參數(shù)切換，場標(biāo)準(zhǔn)解讀，輻射場范圍； 【8】遠(yuǎn)場和近場的區(qū)分，傳輸線輻射場的范圍計(jì)算； 【9】二值化磁場結(jié)果分布圖和結(jié)果；最差結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)； 【10】近場三維場參數(shù)解讀，場強(qiáng)功率分布于頻率切換下的場參數(shù)； 【11】高頻和低頻下的三維場輻射強(qiáng)度分布，諧振點(diǎn)查找； | | | | IBIS模型建模相關(guān)知識(shí)和問題； | IBIS模型建模相關(guān)知識(shí)和問題處理辦法（PCB板級互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號質(zhì)量評估） | 【1】IBIS元件模型相關(guān)知識(shí)&IO模型&IBIS文件的框架結(jié)構(gòu)； 【2】輸入模型&輸出的模型&IO緩存器模型的模型數(shù)據(jù)分析； 【3】緩沖器模型部分分析&接收器的閾值&溫度和電壓&）I/V曲線； 【4】緩沖器特性電壓時(shí)間的速度& IBIS模型的獲取方法； 【5】IBIS文件中常見的語法錯(cuò)誤檢查辦法&常見的錯(cuò)誤修改技巧； 【6】IBIS文件里面電源和GND部分描述模型省略的補(bǔ)救措施修改技巧； 【7】IBIS文件的獲取途徑途徑和方法； 【8】XtractIM抽取Spice-T模型和Spice-Pi模型及IBIS.pkg方法； 【9】IBIS模型和Spice模型的轉(zhuǎn)換； 【10】IBIS下的IO表征和描述行為建模方法； | | | | 通用時(shí)域信號互聯(lián)仿真分析（實(shí)例仿真） | 通用信號實(shí)例仿真分析（PCB板級互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號質(zhì)量評估） | 【1】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置； 【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號互聯(lián)的過孔&焊盤&銅皮等參數(shù)配置； 【3】IBIS文件錯(cuò)誤檢查&錯(cuò)誤修改和IO緩沖器的特性檢查配置； 【4】DIE和封裝Package IBIS文件關(guān)聯(lián)編輯生成新的關(guān)聯(lián)IBIS文件； 【5】設(shè)置仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查； 【6】設(shè)置分析網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號進(jìn)行分類； 【7】關(guān)聯(lián)分析信號元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號分組&信號關(guān)聯(lián)檢查； 【8】編寫信號激勵(lì)源的函數(shù)&設(shè)置激勵(lì)源&關(guān)聯(lián)信號激勵(lì)TX發(fā)送； 【9】設(shè)置信號流向關(guān)聯(lián)RX接收&設(shè)置對用網(wǎng)絡(luò)的IO模型關(guān)聯(lián)模型； 【10】設(shè)置仿真參數(shù)包括Level兩個(gè)等級&設(shè)置參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)類； 【11】執(zhí)行仿真分析仿真結(jié)果&建立信號分析模板對結(jié)果提出改進(jìn)； | | | | DDR3內(nèi)存信號時(shí)序標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)信號評定指標(biāo)； | 內(nèi)存DDR3專題時(shí)域信號仿真分析（PCB板級互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號質(zhì)量評估） | 【1】DDR3芯片常見的BGA類內(nèi)存封裝選擇策略； 【2】DDR3 內(nèi)存中常見的信號分類和信號的各自定義與特征詳解； 【3】DDR3 地址組&控制組&時(shí)鐘組&命令組&數(shù)據(jù)組信號分類和特征； 【4】DDR3 輸入信號VIHAC,VIHDC,VILAC,VILDC,VREF的判斷標(biāo)準(zhǔn)幅度； 【5】DDR3 單線信號過沖&下沖的最大區(qū)域范圍和信號的速率及影響； 【6】DDR3 差分線CLK,DQS信號最大和最小的設(shè)置范圍區(qū)間； 【7】TIS,TIH,TDS,TDH,TVAC,AC175,DC100,AC150,AC135等的時(shí)序； 【8】建立時(shí)間和保持是關(guān)系，信號建立時(shí)間和保持時(shí)間的關(guān)聯(lián)因素； 【9】信號眼圖模板的制作眼圖的眼寬&眼高的計(jì)算； 【10】理想和非理想下眼圖判斷依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)； | DDR3內(nèi)存信號分析（實(shí)例分析） | 【1】DDR3實(shí)例文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置； 【2】DDR3網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號互聯(lián)的過孔&焊盤&銅皮等參數(shù)配置； 【3】DDR3 IBIS文件錯(cuò)誤檢查&修改和IO緩沖器的特性檢查配置； 【4】DDR3仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查； 【5】DDR3網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號進(jìn)行分類； 【6】DDR3關(guān)聯(lián)信號元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號分組&關(guān)聯(lián)檢查； 【7】設(shè)置仿真條件和仿真的參數(shù)等級&設(shè)置參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)類； 【8】設(shè)置參與仿真的信號組類型，地址，命令，控制，數(shù)據(jù)，時(shí)鐘； 【9】執(zhí)行仿真查看仿真結(jié)果&套用內(nèi)存時(shí)序分析模板對結(jié)果進(jìn)行分析； | | | | DDR3內(nèi)存信號實(shí)例分析結(jié)果分析和報(bào)告輸出； | DDR3內(nèi)存信號實(shí)例分析結(jié)果分析; （基于Sigrity Speed2000軟件下的信號質(zhì)量評估） | 【1】CK+,CK-接收數(shù)據(jù)整理參考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對比解析； 【2】DQS+,DQS-接收數(shù)據(jù)整理參考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對比解析； 【3】地址組分析結(jié)果整理和考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對比解析; 【4】數(shù)據(jù)組分析結(jié)果整理和考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對比解析; 【5】過沖&下沖&信號抖動(dòng)&眼圖模板&定義模板數(shù)據(jù)比較和初判斷； 【6】基于預(yù)定義的DDR3內(nèi)存模板文件輸出仿真報(bào)告； 【7】輸出的報(bào)告文件進(jìn)行解讀分析&分析建立時(shí)間和保持時(shí)間的余量； 【8】對輸出的報(bào)告文件中的最佳建立時(shí)間報(bào)告進(jìn)行分析； 【9】對輸出的報(bào)告文件中的最佳保持時(shí)間報(bào)告進(jìn)行分析； 【10】對輸出的報(bào)告文件中的最佳眼圖眼高報(bào)告進(jìn)行分析； 【11】對仿真中存在的不合格項(xiàng)目進(jìn)行優(yōu)化冗余分析； 【12】提出改善DDR3的優(yōu)化策略和多參數(shù)分析優(yōu)化思路； | | | | 板級EMI輻射仿真實(shí)例分析（實(shí)例分析） | 板級EMI仿真實(shí)例分析（基于Sigrity Speed2000軟件下的板級EMI分析） | 【1】實(shí)例文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置； 【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號互聯(lián)的過孔&焊盤&銅皮等參數(shù)配置； 【3】IBIS文件錯(cuò)誤檢查&錯(cuò)誤修改和IO緩沖器的特性檢查配置； 【4】設(shè)置仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查； 【5】設(shè)置分析網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號進(jìn)行分類； 【6】關(guān)聯(lián)分析信號元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號分組&信號關(guān)聯(lián)檢查； 【7】編寫信號激勵(lì)源的函數(shù)&設(shè)置激勵(lì)源&關(guān)聯(lián)信號激勵(lì)TX發(fā)送； 【8】設(shè)置信號流向關(guān)聯(lián)RX接收&設(shè)置對用網(wǎng)絡(luò)的IO模型關(guān)聯(lián)模型； 【9】執(zhí)行仿真分析仿真結(jié)果&近場輻射場參數(shù)解讀分析； 【10】遠(yuǎn)場FCC標(biāo)準(zhǔn)，水平與垂直磁場結(jié)果分解與分析； 【11】遠(yuǎn)近磁場輻射參數(shù)切換，場標(biāo)準(zhǔn)解讀，輻射場范圍； 【12】遠(yuǎn)場和近場的區(qū)分，傳輸線輻射場的范圍計(jì)算； 【13】二值化磁場結(jié)果分布圖和結(jié)果；最差結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)； 【14】近場三維場參數(shù)解讀&空間輻射源查找與信號輻射優(yōu)化策略； | | | | 10G封裝體全波場高速串行信號仿真實(shí)例； | 10G封裝體全波場高速串行信號仿真實(shí)例; （基于Sigrity SYSTEM SI高速互聯(lián)模塊的實(shí)例分析） | 【1】封裝體全波場S參數(shù)提取&3DFEM全波場S參數(shù)提取； 【2】10G S參數(shù)結(jié)果分析和S11,S21信號質(zhì)量評估； 【3】BNP&TS文件轉(zhuǎn)換和SPICE等效模型轉(zhuǎn)換與分析； 【4】SYSTEM SI 系統(tǒng)仿真鏈路搭建與模型關(guān)聯(lián)； 【5】IBIS-AMI信號激勵(lì)碼的設(shè)置與模型匹配； 【6】信號仿真執(zhí)行和注意事項(xiàng)和常見問題； 【7】結(jié)果分析和解讀，10G 69A-7標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范&信號抖動(dòng)公差；； 【8】結(jié)果分析和解讀，差分對TX/RX信號誤差對比分析； 【9】結(jié)果分析和解讀，S21信號插入損耗分析&擬合衰減&插入損耗； 【10】結(jié)果分析和解讀，S11,S22回?fù)p分析，TX S11&RX S22； 【11】結(jié)果分析和解讀，TP1和TP4之間的串?dāng)_DB； 【12】信號分析結(jié)果優(yōu)化與信號質(zhì)量改進(jìn)方法； | | | | PCB互聯(lián)電和熱混合仿真的效應(yīng)基礎(chǔ) | PCB直流壓降與電熱混合仿真； （基于Sigrity PowerDC軟件下的電熱混合仿真） | 【1】歐姆定律與電路的電阻計(jì)算方式； 【2】直流電路的壓降分析與電路的回路系統(tǒng)； 【3】封裝堆疊與封裝結(jié)構(gòu)體中的電壓回路系統(tǒng)； 【4】電源樹和導(dǎo)入電源樹后的BLOCK分布編輯設(shè)置； 【5】導(dǎo)入回路與常見的熱通路熱阻模型； 【6】熱流密度與電熱的相互效應(yīng)參數(shù)； 【7】銅皮，金，銀，鎢等金屬材料的電和熱參數(shù)； 【8】通用的熱與散熱處理方法，熱通路和電通路； | | PCB（單或者多板）互聯(lián)電源系統(tǒng)DC電參數(shù)分析；（實(shí)例仿真分析） | PCB直流壓降與電熱混合仿真； （基于Sigrity PowerDC軟件下的電熱混合仿真） | 【1】建立項(xiàng)目載入文件，封裝參數(shù)SPD; 【2】疊層設(shè)置，材料的電參數(shù)設(shè)置，過孔參數(shù)設(shè)置； 【3】封裝體預(yù)覽與三維結(jié)構(gòu)體分析； 【4】設(shè)置電源和GND，網(wǎng)絡(luò)歸類； 【5】設(shè)置VRM電壓源&設(shè)置Sinks負(fù)載，設(shè)置輸入和內(nèi)阻模型； 【6】使用Power Tree建立參數(shù)模型和構(gòu)建互聯(lián)的DC模型； 【7】設(shè)置規(guī)則，電參數(shù)設(shè)置，層，過孔，電路密度參數(shù)； 【8】仿真和分析結(jié)果，解讀仿真結(jié)果。 【9】電路&電流熱點(diǎn)超標(biāo)點(diǎn)查找，與改進(jìn)方式； 【10】VCC&GND 3D電路電流密度分析，動(dòng)態(tài)熱點(diǎn)分析； 【11】改善策略與分析&多參數(shù)掃描分析； | PCB（單或者多板）互聯(lián)電源系統(tǒng)電熱混合參數(shù)分析；（實(shí)例仿真分析） | 【1】建立項(xiàng)目載入文件，封裝參數(shù)SPD; 【2】疊層設(shè)置，材料的電參數(shù)設(shè)置，過孔&熱參數(shù)參數(shù)設(shè)置； 【3】封裝體預(yù)覽與三維結(jié)構(gòu)體分析； 【4】設(shè)置電源和GND，網(wǎng)絡(luò)歸類； 【5】設(shè)置VRM電壓源&設(shè)置Sinks負(fù)載，設(shè)置輸入和內(nèi)阻模型 【6】使用Power Tree建立參數(shù)模型和構(gòu)建互聯(lián)的DC模型； 【7】設(shè)置規(guī)則，電參數(shù)設(shè)置，層，過孔，電路密度參數(shù)； 【8】設(shè)置仿真環(huán)境溫度，風(fēng)扇，風(fēng)速，熱環(huán)境； 【9】 設(shè)置熱元件參數(shù)，MCU,MPU,電源等大電流器件的熱阻模型； 【10】散熱片設(shè)置，元件模型散熱片與安裝位置設(shè)置，導(dǎo)熱設(shè)置； 【11】設(shè)置熱分析標(biāo)準(zhǔn)，建立熱分析規(guī)則； 【12】仿真和分析結(jié)果，解讀仿真結(jié)果。 | | 【1】電路&電流熱點(diǎn)超標(biāo)點(diǎn)查找與系統(tǒng)與改進(jìn)的方法； 【2】VCC&GND 3D電路電流密度分析，動(dòng)態(tài)熱點(diǎn)分析； 【3】3D熱溫度分布分析，熱導(dǎo)圖分析； 【4】熱輻射對元件的MTBF壽命參數(shù)與壽命分析； 【5】改善策略與在分析&多參數(shù)掃描分析； 【6】整理資料輸出電熱混合仿真報(bào)告，給出整改建議； 【7】分析電密度超標(biāo)區(qū)域&分析熱密度超標(biāo)區(qū)域&提出改善措施； |
五、優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)，提升培訓(xùn)效果 參訓(xùn)學(xué)員或者企業(yè)在課程結(jié)束后，可以享受相關(guān)凡億教育技術(shù)的方面的優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)，作為授課之補(bǔ)充，保證效果，達(dá)到學(xué)習(xí)目的。 1、【技術(shù)問題解答】培訓(xùn)后一年內(nèi)，如果有課程相關(guān)技術(shù)問題，可通過電話、郵件、微信聯(lián)系凡億技術(shù)客服，我們將第一時(shí)間協(xié)助解決。 2、【技術(shù)交流群】加入正式技術(shù)交流群，與行業(yè)大咖零距離溝通。 3、【技術(shù)支持】在企業(yè)培訓(xùn)過程中，有不懂的問題可以隨時(shí)向技術(shù)支持提出，及時(shí)提出與解決，最大化提升學(xué)習(xí)效率。 4、【專屬客服】專屬客服保障，服務(wù)永不止步，實(shí)時(shí)跟蹤學(xué)習(xí)動(dòng)態(tài)，保證學(xué)習(xí)效率 5、【技術(shù)論壇】PCB聯(lián)盟網(wǎng)，國內(nèi)領(lǐng)先的PCB論壇之一，以技術(shù)交流為主，匯集電子行業(yè)各類大咖。在PCB聯(lián)盟網(wǎng)內(nèi)可以了解到行業(yè)最新進(jìn)展，學(xué)習(xí)最前沿的技術(shù)。 6、【凡億課堂】電子行業(yè)專業(yè)在線教育平臺(tái)，覆蓋多種電子培訓(xùn)類目，在培訓(xùn)之余可以通過凡億課堂隨時(shí)在線學(xué)習(xí)，滿足學(xué)習(xí)需求。 六、講師資歷—李增老師 李增老師，13年＋模擬電路和數(shù)字電路及程序設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，著有多本Cadence和高速信號仿真書籍。尤其是快速電子類產(chǎn)品開發(fā)的精悍流程和開發(fā)技巧。熟悉Cadence,pads,AD, ADS,Sigrity,Ansys EM等EDA和分析工具，已初步形成了一套基于高速PCB設(shè)計(jì)的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)及理論，累積上萬粉絲。 七、主辦單位簡介 湖南凡億智邦電子科技有限公司，是國內(nèi)領(lǐng)先的電子研發(fā)和技術(shù)培訓(xùn)提供商，是國家認(rèn)定的高新技術(shù)企業(yè)。以“凡億電路”“凡億教育”作為雙品牌戰(zhàn)略，目前近110萬電子會(huì)員，技術(shù)儲(chǔ)備為社會(huì)持續(xù)輸送7萬余人高級工程師，服務(wù)了1萬多中小型企業(yè)合作伙伴。 服務(wù)范圍： 凡億教育課程開設(shè)了硬件、PCB、仿真、電源、emc、FPGA、電機(jī)、嵌入式、單片機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等多門主流學(xué)科。目前，凡億教育畢業(yè)學(xué)員九成實(shí)現(xiàn)漲薪，八成漲薪超20%，最高漲幅達(dá)200%，就業(yè)企業(yè)不乏航天通信、同步電子、視源股份，華為等明星企業(yè)，受到企業(yè)與工程師一致認(rèn)可！ 培訓(xùn)初心： 打通“人才培養(yǎng)+人才輸送”的閉環(huán)；致力于做電子工程師的夢工廠； 打造“真正有就業(yè)保障的電子工程師職業(yè)教育平臺(tái)”。 培訓(xùn)特色： 類目全面，授課形式多樣，針對性強(qiáng) 1）課程形式多樣，涵蓋線上/線上，導(dǎo)師1帶1，班級式培訓(xùn)等多種形式 2）開設(shè)硬件、PCB、仿真、電源、EMC、FPGA、電機(jī)、嵌入式、單片機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等多門主流學(xué)科 3）工業(yè)和信息化部教育與考試中心專項(xiàng)技術(shù)證書，官方發(fā)證，行業(yè)通用 專業(yè)技術(shù)保障，一線工程師團(tuán)隊(duì)，售后有保障 1）培訓(xùn)電子工程師團(tuán)隊(duì)工齡經(jīng)驗(yàn)均為10年+，具備豐富的實(shí)戰(zhàn)能力 2）畢業(yè)學(xué)員九成實(shí)現(xiàn)漲薪，八成漲薪超20%，最高漲幅達(dá)200% 3）凡億PCB聯(lián)盟網(wǎng)、人才網(wǎng)、凡億教育課堂“三位一體”覆蓋多種學(xué)習(xí)交流場景 企業(yè)級素養(yǎng)培養(yǎng)，“對癥下藥”解決企業(yè)項(xiàng)目難點(diǎn)痛點(diǎn) 1）全行業(yè)實(shí)戰(zhàn)課程教學(xué)團(tuán)隊(duì)，涵蓋硬件電子、軟件編程、企業(yè)培訓(xùn)三個(gè)核心領(lǐng)域 2）專業(yè)級工程師設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，基于一線導(dǎo)師的實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)為標(biāo)準(zhǔn)制定課程規(guī)劃 3）芯片公司合作，前瞻性技術(shù)積累，秉承凡億教育13年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)與教學(xué)優(yōu)勢 《凡億高速PCB信號仿真實(shí)訓(xùn)課程》報(bào) 名 表 課程名稱：《高速PCB信號仿真實(shí)訓(xùn)課程》 時(shí)間地點(diǎn)：______________；參加人數(shù)：________________ | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | □ 轉(zhuǎn)帳 □ 現(xiàn)金（請選擇 在□打√） | | | | | | |
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