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& X2 K9 `4 @4 }5 H6 I/ P& R一．布局問(wèn)題：
# N# P6 J% [& z) V" V: _" @9 e1.【問(wèn)題分析】：器件的擺放有點(diǎn)亂，既不美觀，且對(duì)后期的扇孔和布線存在不好的影響。（特別是一些高密度板子）+ ~: ]7 M) h* U# T
【問(wèn)題改善建議】：建議布局時(shí)，多使用對(duì)齊和等間距命令。5 o1 H, u6 E6 G
0 D8 t/ |$ p/ S. O二．布線問(wèn)題：
& X: @1 K# y0 H Z2 x1.【問(wèn)題分析】：如圖所示，板中還存在開(kāi)路，分別是5V和GND以及 SIP
5 K) }8 a- r. s* a3 F$ P% Y; V【問(wèn)題改善建議】：建議畫(huà)完板后進(jìn)行DRC檢查。將開(kāi)路連接上。
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2.【問(wèn)題分析】：整個(gè)pcb的地網(wǎng)絡(luò)都沒(méi)連接上。
; K6 x4 [# |: c( T% U【問(wèn)題改善建議】：建議對(duì)地網(wǎng)絡(luò)焊盤(pán)可以扇孔時(shí)打孔引出，留好位置，最后使用整版地銅連接，且可以在空閑處打上回流過(guò)孔。
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3.【問(wèn)題分析】：pcb中走線多處出現(xiàn)直角和銳角，這樣會(huì)產(chǎn)生不良的信號(hào)反射，影響信號(hào)。3 p2 r) e: O' @/ [
【問(wèn)題改善建議】：建議使用fill修改成鈍角，或者添加淚滴。
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/ |/ ^1 V0 o0 n, A( A; T7 `4.【問(wèn)題分析】：晶振的走線存在問(wèn)題，進(jìn)入晶振后再反回到濾波電容，這樣濾波電容就沒(méi)意義了，且晶振下方穿線了。! O: c. r( y2 V5 W0 k' M3 h5 O5 G
【問(wèn)題改善建議】：晶振的走線考慮π型濾波，如下圖。晶振是個(gè)干擾源，下方不能穿線。) {& M1 ~6 n. i
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5.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，板中還存在stub線，這會(huì)產(chǎn)生天線效應(yīng)影響信號(hào)。
% S+ f9 f" c" d" Z# Z9 H【問(wèn)題改善建議】：建議DRC檢查時(shí)，把stub線也選上，檢查出來(lái)后，將stub線刪除。
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; ]& n2 R/ K8 u, |$ g! t0 ]6.【問(wèn)題分析】：光耦中間穿線了，這樣會(huì)影響重要的信號(hào)。3 I6 z2 y5 J1 L( `3 Q4 }
【問(wèn)題改善建議】：光耦中間的線移開(kāi)，且鋪銅時(shí)光耦中間挖空處理。$ w! D% q0 V& i
9 t0 H9 p d% c0 H$ [/ f7.【問(wèn)題分析】：電源線換層導(dǎo)線變細(xì)了，可能會(huì)出現(xiàn)瓶頸，且1個(gè)過(guò)孔是否足夠。
) M, f0 n) ~, @3 H, e: _【問(wèn)題改善建議】：非必要情況下，盡量保持線寬一致，0.5mm過(guò)孔過(guò)1A的經(jīng)驗(yàn)值來(lái)增加過(guò)孔的數(shù)量。
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: S V/ u. }$ c# [2 Y$ N3 `: ?( P. y( x8.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，走線形成環(huán)路了。
2 \: C/ \- G5 \$ |【問(wèn)題改善建議】：建議將多余的線刪掉，增加載流的話，建議增加導(dǎo)線寬度或敷銅。
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9.【問(wèn)題分析】：過(guò)孔的尺寸樣式太多，增加生產(chǎn)成本。
0 A. @6 w# Z7 ~7 X【問(wèn)題改善建議】：通常過(guò)孔的尺寸樣式不能超過(guò)3種。
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% C& ~6 u% m5 Y10.【問(wèn)題分析】：如下圖所示，3.3V的走線存在回路。
- C y; k$ M7 W+ ?+ V【問(wèn)題改善建議】：建議下圖那樣修改。% y# E, x* A& O C' z
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三．生產(chǎn)工藝：
8 q+ @/ S1 g: ^9 g2 c+ u1.【問(wèn)題分析】：絲印這樣調(diào) 不美觀。' u: Q3 t% l$ N
【問(wèn)題改善建議】：常規(guī)的絲印和器件方向一致。
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